8インチのGaN-on-Si エピタキシシ基板 ((110 111 110) MOCVD反応器またはRFエネルギーアプリケーションのために 8インチのガナ-オン-シエピタキシの抽象 8インチのGaN-on-Siエピタキシープロセスは,直径8インチのシリコン (Si) 基板上にガリウムナイトリド.........
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Si 化合物・ウェーファー,Si ウェーファー,シリコン・ウェーファー,化合物・ウェーファー,Si 基板上の GaN,シリコン・カービッド基板,4インチ,6インチ,8インチ,シリコン (Si) 基板上のガリウムナイトリド (GaN) 層 Si ワッフル上のGaNの特性 製造のために.........
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平面によってSi添加されるGaN支えがない六角形のGaNの水晶の基質 PAM-XIAMENはUHB-LEDおよびLDのためである支えがない（ガリウム窒化物） GaNの基質のウエファーのための製造技術を確立しました。水素化合物の蒸気段階のエピタクシーの(HVPE)の技術によって育てられて.........
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トランジスターIMZA120R014M1HXKSA1 1200V 14mΩ SiC堀MOSFET TO247のパッケージ 記述 CoolSiC™ 1200ボルト、信頼性と性能を結合するために最大限に活用される最新式の堀の半導体プロセスのTO247-4パッケージの造りの14のmΩ SiC M.........
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2インチのGaNの型板:次元:Ф 50.8mmの± 0.1mmの厚さ:4 µm、20 µm;4つのµmのオリエンテーション:C平面の（0001） ± 0.5°の伝導のタイプ:Nタイプ（Undoped）;Nタイプ（Si添加される）;Pタイプの（Mg添加された）抵抗（300K）:<0.5 Ω·cm;<0......
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