フルH ブリッジ モスフェットドライバー

集積回路の破片A4989SLDTR-T二重完全な橋MOSFETの運転者IC TSSOP38 A4989SLDTR-Tの製品の説明 A4989SLDTR-Tは高い発電の産業両極2フェーズ ステッピング モーター（500 W）の広い範囲をへの普通30運転するために適した統合されたm.........

allegro a3941klptr-t HTSSOP28の電子部品集積回路 MCUのマイクロ制御回路集積回路A3941KLPTR-T 指定 項目 価値 D/C 新しい...

IR2110PBF力MOSFETおよびIGBTの運転者ICは半橋ゲートの運転者IC 14-DIPを欠きます 記述 IR2110/IR2113は独立した高低の側面の参照された出力チャネルが付いている高圧、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者です。専有HVICおよび掛け金免疫CMOS.........

IRS 2101 STRPBFの半導体ICの破片 抵抗のMOSFETの運転者の高い現在の高速低速 プロダクト リスト: IRS2101STRPBFの半導体ICの破片 記述: IRS2101S......

DRV8908QPWPRQ1半分橋（8）運転者DCモーター、一般目的MOSFET （金属酸化物） 24-HTSSOP 特徴 •AEC-Q100は自動車適用のために修飾した •4、6、8、10そして12半橋出力 •32-V作動の電圧への4.5-V – 40-V絶対最高の電圧.........

JY12M BLDCモータードライバのためのNとPチャネル30VMOSFET 一般的な説明 JY12Mは,NとPチャネル論理強化モードの電源フィールドトランジスタです高密度細胞のDMOS溝技術を用いて作られています状態の抵抗を最小限に抑えるために特別に設計されています.携帯電話やノートP.........

NCS20074DTBR2G - パワーMOSFETおよびIGBT用の高速デュアルMOSFETドライバ ここのstock.xlsxで情報を見つけてください 序章： NCS20074DTBR2G は、ハーフブリッジ構成で 2 つの N チャネル MOSFET または IGBT を.........

IR2153STRPBF IR2153S半橋ゲートの運転者IC RCの入力回路8-SOIC 運転された構成 半橋 チャネル タイプ 同期 運転者の数 2 ゲートのタイプ NチャネルMOSFET 電圧-供給 10V | 15.6V 論理の電圧- VIL、VIH - 現在-ピーク出力（源、流し） - 入......

JY13M NおよびBLDCモーター運転者のためのPチャネル40V MOSFET 概説 JY13MはNおよびPチャネルの論理の強化モード力分野のトランジスターである優秀なRDS （）および低いゲート充満を提供できるかどれが。補足MOSFETsはH橋、インバーターおよび他の適用で使用されるかも.........

非逆になる24-SOICを逆にするHIP4086ABZT半橋ゲートの運転者ICHIP4086およびHIP4086A （HIP4086/A）と3-phase N-channel MOSFETの運転者はある言われる。部品は両方ともPWMの運動制御のためにとりわけ目標とされる。これらの運転者にあらゆる可能......

L6206D013TR半分橋（4）運転者DCモーター、ステッピング モーター、電圧安定器BCDMOS 24-SO 特徴: ●8からの52ボルトへの作動の供給電圧 ●5.6 Aの出力ピーク電流（2.8 DC） ●動作周波数100つまでのKHz ●プログラム可能な高側の過電流検出および保.........

DRV8106-Q1ワイドコモンモードインライン電流検出アンプICを備えた自動車用ハーフブリッジスマートゲートドライバ 説明： DRV8106-Q1は、高度に統合されたハーフブリッジゲートドライバであり、ハイサイドおよびローサイドのNチャネルパワーMOSFETを駆動できます。ハイ.........

DRV8800RTYRモーター/動き/点火のコントローラー及び運転者完全な橋モーター運転者 部門 集積回路 製造業者 テキサス・インスツルメント 包装 巻き枠- TR 状態 活動的 段.........

L6201 L6202 - L6203 DMOS完全な橋運転者 48Vまでの►SUPPLYの電圧 ►5A MAXのピーク電流（最高2A。L6201のため） L6201までの►TOTAL RMSの流れ:1A;L6202:1.5A;►L6203/L6201PS:4A ►RDS（）.........

プロダクト細部 部門集積回路（IC）PMIC -ゲートの運転者製造業者インフィニオン・テクノロジーズ包装 テープ及び巻き枠（TR）部分の状態活動的運転された構成半橋チャネル タイプ3-Phase運転者の数6ゲートのタイプIGBT、N-Channel MOSFET電圧-供給10ボルト| 20ボルト論理......

一般的な説明: JY12MはNとPチャネル論理強化モードの電源フィールドトランジスタで,高細胞密度DMOSトレンチ技術を使用して製造されています.この高密度プロセスは,特に状態での抵抗を最小限にするために設計されています携帯電話やノートPCなどの低電圧アプリケーションに特に適しています.と低線電........

SSOP24力管理（PMIC）真新しい完全な半分のブリッジ・ドライブおよび元の在庫のNCV7723DQBR2G 製品の説明 部品番号LM2852XMXAX-3.3/NOPBは製造され、Stjkによって配られる。電子プロダクトの一流のディストリビューターの1人として、私達は世界の上の製.........

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