6層アルN基板 セラミックPCB 1.5mm 厚さ 浸水金でハスルフリーシグナル伝送,プロトタイプ利用可能. (すべてのセラミックPCBはカスタム製造です.参照画像とパラメータは,設計要件に応じて異なります.) 簡潔 な 紹介 このタイプのセラミック回路板は,複雑な6層のボード設計を採用し,アル........
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簡潔 な 紹介 このタイプのセラミック回路板は,複雑な6層のボード設計を採用し,アルミナイトリド (AlN) を基板として選択します.アルミナイトリドは優れた熱伝導性と電熱隔熱特性がありますこのPCBは溶接マスクとシークリーン文字から自由です. このPCBは,溶接マスクとシークリーン文字から自由です......
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チップ終端 50Ω 5w DC- 6GHz BeO AlN Al2O3 1.27 * 2.54 標準抵抗: 50Ω 基板材質: BeO、AlN、Al2O3 抵抗の許容: ±5%(デフォルト);±2%;±1%......
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10x10mmまたは直径10mm dia25.4mm dia30mm、dia45mmのdia50.8mm AlNの基質のAlNの単結晶のウエファー 適用の AlNの型板 ケイ素 ベースの半導体技術は限界に達し、未来の条件を満たすことができなかった 電子デバイス。典型的な一種の3r.........
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窒化アルミニウムのAlNの陶磁器の基質、高い熱伝導性 陶磁器0.5mm AlN 6inch陶磁器の基質 AlNは導入します 陶磁器窒化アルミニウム(AlN)に高い熱伝導性(陶磁器アルミナとして5-10回)があります、 低い比誘電率および誘電正接、よい絶縁材および優秀な機械特性、無毒で、.........
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AIN陶磁器の基質 私達はAlNの陶磁器の基質を提供する。AlNの基質は優秀な熱抵抗、高いmechnical強さ、摩耗抵抗および小さい誘電性損失がある最も普及した陶磁器の基質の1つである。AlNの基質の表面はかなり滑らかで、低い気孔率である。窒化アルミニウムにアルミナの基質と比較されるより高い熱伝導......
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Flimの高い熱伝導性の窒化アルミニウムのAlNの薄い陶磁器のウエファー AlNの陶磁器のウエファーの指定 1. 私達は多くの円形の陶磁器のウエファーの、正方形及び長方形の陶磁器の基質と供給しています 2. AlNのウエファーの典型的な厚さは0.38mm、0.5mm、0.635mm、1.0mm.........
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仕様 アルミナイトリド基板の仕様 記述 アルミナイトリドセラミック基板は熱伝導性が優れ,介電常数が低く,損失は中等で,保温性能が信頼性があり,機械性能が優れ,無毒で,高温耐性通信機器,高明るさLED,電子電子機器などのさまざまな分野で広く使用されています.優れた性能を持つ電子.........
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車のための120DEG視野角LEDの穂軸の破片25W 18W 15W DC9V 6000-7000K 1700-2300Kは軽い導いた モデル LN-CFB7PW-P25-53AB LN-CFB7PW-P18-53AB LN-CFB7PWW-PS15-53BB......
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グレーアルミナ-ナトリド-セラミックパーツ 屈曲強度 ≥330MPa 高アルンセラミック基板 TO220パッケージ 製品説明: アルミナイトリドセラミック - 製品概要 TO-220パッケージは,電力半導体向けに設計された"パワーパッケージ"であり,表面マウント技術型のパッケージではなく透孔設計........
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高温適用窒化アルミニウムのノズルALNオイルのスプレー ノズル 窒化アルミニウム(AlN)は電子回路のための基質そして脱熱器としてアルミナを取り替え始めている。AlNの熱伝導性、約8回はアルミナのそれ、これらの適用の選択の主な理由である。ベリリウムの酸化物により高い伝導性がある間、その材料の.........
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陶器基板のAMB結合のための真空溶接炉 この装置は,Si3N4およびAln基板のAMB銅コーティングプロセスに使用されます.高密度の合金材の真空および高温脱ガスシンタリングにも適用できます.ワルフタン・ニッケル合金ワルフスタン銅合金,チタン合金,磁気材料,その他の稀有金属材料の真空熱処理プロセス........
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単層ALNの陶磁器のプリント基板、0.6MMの30UM銅 1つの層ALN陶磁器PCB PCBの指定: 層の計算:1つの層陶磁器PCB 板厚さ:0.6MM 材料:陶磁器ALN 銅の厚さ:30UM 適用:高い温度条件の仕事 Speicalの種類PCB: FAQ: 質問:陶磁器PCBのための主な特長は何で......
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ムライトの菫青石RTOの陶磁器の蜜蜂の巣の基質 菫青石の陶磁器の基質はマグネシウムのアルミニウム ケイ酸塩からなされるタイプの陶磁器材料である。それをいろいろな適用のためにうってつけにするいくつかの特性があるのは多目的な材料である。菫青石の陶磁器の基質の最も重要な特性の1つは熱衝撃の抵抗であ.........
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DPCプロセスは,LED/半導体/電子産業に適用される高度なコーティング技術である.典型的な応用は,セラミック放射性基板である. 伝統的な製造方法と比較して,PVD真空スプッター技術によるAl2O3,AlN,Si,ガラス基板に対するクーパー導電膜堆積:DBC LTCC HTCC,特徴: 1生産コスト......
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2インチのAlNの型板:次元:Ф ± 50.8 mmの0.1 mmの基質:サファイア(磨かれる単一の側面)の厚さ:4 | 5つのµmのオリエンテーション:C平面の(0001) ± 1°の伝導のタイプ:半絶縁の結晶の質:XRD FWHM (の0002) <350のarcsec。(10-12の) <......
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10*10mm2はGaNの電力増幅器PAM-XIAMENの型板プロダクトのためのサファイアの基質のエピタキシアル ウエファーがガリウム窒化物(GaN)の結晶の層から、窒化アルミニウム(AlN)、アルミニウム ガリウム窒化物(AlGaN)およびサファイアの基質で沈殿する、インジウム ガリウム窒化物......
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円形 <100> LaAlO3ウエファーの光学基質の高圧実験段階 LaAlO3は高温超伝導の単結晶の基質である。それは高温超伝導の薄膜および巨大な磁気薄膜のエピタキシアル成長のためのよい基質材料である。その誘電性の特性は低損失のマイクロウェーブおよび誘電性共鳴適用のために適している。 LaAlO3の......
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高性能 外径200mm 厚さ4.5mm 銅基板 第1部製品説明 この銅基板は,自動車のブレーキシステムで使用するために設計されています. 200mm の直径 と 4.5mm の厚さ を 持っ ており,理想 的 な 硬さ を 達成 する ため に 慎重 に 策定 さ れ,特別 処理 を 受け た.........
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アルミナの窒化物の電子デバイスのための陶磁器の正方形の基質シート 適用 1. 1500°Cまで温度を使用して下さい 2. 高密度 3. 高い硬度 4. 低い熱伝導性 5. 化学inertness 6. 溶解した金属への抵抗 7. よい耐久性 8. 高いひびの靭性 9. 形およびサイズはあなたの条件に......
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