LEDのパッケージ及び超力のレーザーの半導体LDのための窒化アルミニウムの基質のAlNの版
原産地:中国
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Zhuhai Guangdong
住所：
No.9 前山路、珠海、広東省、中国
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製品詳細
会社概要
製品詳細
仕様
| アルミナイトリド基板の仕様 | ||||
| 記述 | アルミナイトリドセラミック基板は熱伝導性が優れ,介電常数が低く,損失は中等で,保温性能が信頼性があり,機械性能が優れ,無毒で,高温耐性通信機器,高明るさLED,電子電子機器などのさまざまな分野で広く使用されています.優れた性能を持つ電子陶器材料です. | |||
| 利点 | (1) 高熱伝導性 (<200w) を有し,アルミニウムセラミックの5〜10倍である. (2) 熱膨張係数 (4.3×10−6°C) は半導体シリコン材料 (3.5−4.0×10−6°C) に一致する. (3) 良質の機械性能,屈曲強度はBEOセラミクより高く,アルミニウムに近い. (4) 優れた電気性能,高保温耐性,低中位損失 (5) 回路材料は,良好な互換性により互換性があり,包装の高密度と小型化を達成するために,多層のワイヤリングを行うことができます. (6) 無毒で環境保護に有利です. | |||
| 材料の特性 | C-ALN-200 | |||
| 色 | グレーとホワイト | |||
| 密度 | g/cm3 | ≥30 | ||
| 表面の荒さ Ra | μm | 0.300-0 だった600 | ||
| 折りたたみ力 | MPa | >320 | ||
| カンバー | 長さ | ≤2 | ||
| 熱伝導性 | 25°C,W/m·k | ≥200 | ||
| 熱膨張係数 | 10-6/K ((40〜400°C) | 4.0-50 | ||
| 10-6/K ((40~800°C) | 3.5×10-6 | |||
| ダイレクトリ常数 | kv/MN | 17 | ||
| 音量抵抗 | 25°C,Ω·cm | ≥1014 | ||
| 注記:上記値は典型値であり,仕様ではありません. | ||||
| サイズ | 厚さ | 長さ*幅 | ||
| 0.381ミリ | 50.8*50.8mm 110*110mm 114.3*114.3mm 120*120mm 127*127mm 139*190mm | |||
| 0.500mm | ||||
| 0.635mm | ||||
| 1.0mm | ||||
| 1.5mm | ||||
| 申請 | LED パッケージ | |||
| 耐電性セラミックベースボード | ||||
| 超高性能レーザー半導体LD | ||||
プロダクトショー
LEDのパッケージ及び超力のレーザーの半導体LDのための窒化アルミニウムの基質のAlNの版
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