Dia 3" 4"マイクロエレクトロニック部品のAlNの技術的な陶磁器の陶磁器の基質の厚いフィルム
型式番号:MS
原産地:中国
最低順序量:1部分
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:1ヶ月あたりの10000部分
受渡し時間:3仕事日
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Zhengzhou Henan China
住所：
第26のDongqingの通り、ハイテクな地帯、鄭州、河南、中国
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 48 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
AIN陶磁器の基質
私達はAlNの陶磁器の基質を提供する。AlNの基質は優秀な熱抵抗、高いmechnical強さ、摩耗抵抗および小さい誘電性損失がある最も普及した陶磁器の基質の1つである。AlNの基質の表面はかなり滑らかで、低い気孔率である。窒化アルミニウムにアルミナの基質と比較されるより高い熱伝導性がそれである高い約7から8回ある。AlNの基質は優秀な電子パッケージ材料である。私達は薄膜を含む広い応用範囲にAlNの基質を、提供し、厚いフィルムのマイクロエレクトロニック、高い発電および高周波回路RF/マイクロウェーブ部品およびコンデンサーまたは抵抗器は、陶磁器のウエファーの製品に関する情報のための私達に連絡する。
AlNのウエファーの特性
| 化学式 | AlN |
| 色 | 灰色 |
| 密度 | 3.3 g/cm 3 |
| 熱伝導性 | 160 | 190 W/m. K |
| 熱拡張（x10 -6/℃） | 4.6 |
| 絶縁耐力 | 14E6 |
| 比誘電率（1MHZで） | 8.7 |
| 損失のタンジェント（x10 -4 @1MHZ） | 5 |
| 容積抵抗 | >1E14オームcm |
| 直径 | Øの1"/Ø 2"/Ø 3"/Ø 4" |
|---|---|
| 正方形のサイズ | 10 x 10/20 x 20/50 x 50/100つx 100つのmm |
| 厚さ | 0.4 mm/0.5 mm/1つのmm |
| 表面 | 発射される |
| 磨かれる/磨かれる双方1つの側面 | |
| 荒さ | RAの<= 0.3 um |
Dia 3" 4"マイクロエレクトロニック部品のAlNの技術的な陶磁器の陶磁器の基質の厚いフィルム
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