Nのタイプ、InSbの基質、3"、模造の等級-化合物半導体

Nは、InSbの基質、3"、模造の等級タイプします

PAM-XIAMENは磁気抵抗を使用してフォトダイオードのための高い純度の単結晶のInSb （インジウムのアンチモン化物）のウエファーをかphotoelectromagnetic装置、磁界センサーまたはSpitzerの宇宙望遠鏡の赤外線配列のカメラの探知器のいくつかのInSbの高いキャリア移動度に、よるホール効果素子、速いトランジスター（動的切換えの点では）製造します。私達の標準的なウエファーの直径は磨かれたウエファーおよび空白のウエファーとのさまざまな厚さそして異なったオリエンテーション（100）で1インチから3インチ、ウエファーまで、（111）、（110）作り出すことができます及びます。PAM-XIAMENは広い範囲の等級を作り出すことができます:主な等級、テスト等級、模造の等級、機械等級および光学等級。PAM-XIAMENはまた注文の構成に加えて要求によってコマーシャルおよび研究の塗布および新しい専有技術のための顧客の指定にInSbの文書を、提供します。

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InSbのウエファーの光学的性質

赤外線r.i.

のため120K < T < 360K dn/dT = 1.6·10-11·n

基底状態のRydbergエネルギーRX1= 0.5 MEV。

InSbの基質を捜していますか。

PAM-XIAMENはすべての異なった種類のプロジェクトのためのリン化インジウムの基質を提供して自慢しています。InSbのウエファーを捜したら、学ぶために私達に照会をあなたがあなたの次のプロジェクトのために必要とするInSbのウエファーを得るために私達がいかにについてのあなたと働いてもいいか詳細を今日送って下さい。私達のグループのチームはあなたに両方良質品および優秀なサービスを提供することを楽しみにしています!

限られるシアムンPowerwayの先端材料Co.は（PAM-XIAMEN）化合物半導体の物質的な統合の半導体の結晶成長、プロセス開発およびエピタクシーのためのハイテクな企業で、そこにです2つの本管分野化合物半導体のウエファーの研究そして生産を専門にします:SiC&GaNの文書（SiCのウエファーおよびエピタクシー、GaNのウエファーおよびepiのウエファー）およびIII-V材料（III-Vの基質およびepiサービス:INPウエファー、GaSbのウエファー、GaAsのウエファー、InAsのウエファーおよびInSbのウエファー）。私達のウエファーはLEDの半導体の照明、無線コミュニケーション、太陽エネルギー、赤外線装置、レーザーの探知器で広く利用されて、半導体力装置は、力装置、高温装置および光電装置を含んで、そこに、小型/マイクロLED、パワー エレクトロニクスおよびマイクロウェーブRFのためSiのGaNを含むGaNのウエファー、SiCのGaNおよびサファイアのGaNです。

一流の専門の会社として、私達は絶えず既存のプロダクトの質を改善することに努力しています。PAM-XIAMENに大学院生で、医者構成される、強い技術的なR & Dのチームがマスターあり、強いR & Dの強さがあります。会社の技術的な背骨は30yearsのための物質的な準備でおよび関連装置の設計および開発ほとんど従事して、材料、物質的な準備プロセスの物理的な、化学電気特性の詳細な研究があります。理論的な沈殿の多くの年および科学的な、科学技術の人員の実践経験の蓄積は会社の製品性能および装置の設計機構がユーザーの実際の技術的な、科学技術の必要性を満たすことを保障している間会社に関連した材料および装置の開発の独特な洞察力そして独特な利点があらせます。