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シンセンATFUの電子工学の技術株式会社

Shenzhen ATFU Electronics Technology LTD

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Mosfet力トランジスター

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 Mosfet力トランジスター
China 承認される高利得性能Mosfet力トランジスターNPNダーリントンTIP122 ROHS for sale

承認される高利得性能Mosfet力トランジスターNPNダーリントンTIP122 ROHS

MOSFETトランジスタTIP122ダーリントンNPN 100V 5A 2000mW TO220パワートランジスタ TIP120、TIP121、TIP122 TIP125、TIP126、TIP127 説明 デバイスは、「ベースアイランド」レイアウトとモノリシックダーリントン構成の平......
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China 電圧20V PチャネルSMD MosfetのトランジスターIRF7404TRPBF現在の7.7A SOP8パッケージ for sale

電圧20V PチャネルSMD MosfetのトランジスターIRF7404TRPBF現在の7.7A SOP8パッケージ

元のIRF7404TRPBF SOP8 Pチャネル20V 7.7A SMD MOSFETのトランジスター記述 国際的な整流器からの第5世代HEXFETsはケイ素区域ごとの最も低く可能なオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用します。HEXFET力のMOSFETsが有名......
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China 電力回路大将のための現在の31A Mosfet力トランジスターIRFR5305TRPBF電圧55V for sale

電力回路大将のための現在の31A Mosfet力トランジスターIRFR5305TRPBF電圧55V

電力回路大将のためのIRFR5305TRPBFのトランジスターTO252 55V 31A力MOSFET IRFR5305PbF IRFU5305PbF 記述 国際的な整流器からの第5世代HEXFET sはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵......
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China IRF9540NPBF PチャネルMosfetのトランジスター、100V 23Aはスイッチング・トランジスタ絶食します for sale

IRF9540NPBF PチャネルMosfetのトランジスター、100V 23Aはスイッチング・トランジスタ絶食します

PはIRF9540NPBF TO-220 100V 23Aの高いスイッチング・トランジスタMOSFET力を運びます記述 国際的な整流器からの第5世代HEXFET sはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用します。HEXFET®力のMOSFETsが有名の......
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China 電気通信/産業使用IRLR7843TRPBFのための高周波Mosfet力トランジスター for sale

電気通信/産業使用IRLR7843TRPBFのための高周波Mosfet力トランジスター

電気通信および産業使用のためのトランジスターIRLR7843TRPBF TO-252 30V 161A力MOSFET IRLR7843PbF IRLU7843PbF 記述 非絶縁DC/DCのコンバーターのための力MOSFETの選択 ......
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China 回路の高圧Npn力トランジスターTIP42C 100V 6A TO220パッケージを転換して下さい for sale

回路の高圧Npn力トランジスターTIP42C 100V 6A TO220パッケージを転換して下さい

スイッチのためのTIP42C PNP 100V 6A TO-220力トランジスターMOSFETのトランジスターは巡回します TIP41C TIP42C 記述 この装置を線形音声、力および切換えの適用のために適したようにするTIP41CはTO-220プラスチック パッケー......
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China ダーリントン両極Mosfet力トランジスターTIP147 10A現在の100V電圧 for sale

ダーリントン両極Mosfet力トランジスターTIP147 10A現在の100V電圧

MOSFETトランジスタTO-3P TIP147 10A 100V PNPダーリントンバイポーラパワートランジスタ TIP140、TIP141、TIP142、（NPN）; TIP145、TIP146、TIP147、（PNP） 説明 デバイスは、「ベースアイランド」レイアウトとモノリ......
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China 無鉛NチャネルMosfetのトランジスター、200V 18A高速MosfetのトランジスターIRF640NPBF for sale

無鉛NチャネルMosfetのトランジスター、200V 18A高速MosfetのトランジスターIRF640NPBF

MOSFET力トランジスターを転換するIRF640NPBFのすくいTRANS Nチャネル200V 18A記述 国際的な整流器からの第5世代HEXFETの®力MOSFET sはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用します。HEXFET力のMOSFE......
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China IRF3205PbF Mosfet力トランジスター175°C実用温度の超低いオン抵抗 for sale

IRF3205PbF Mosfet力トランジスター175°C実用温度の超低いオン抵抗

IRF3205PbFHEXFET®パワーMOSFET 55V 98A TO-220 MOSFETトランジスタ 説明 International Rectifierの高度なHEXFET®パワーMOSFETは、高度な処理技術を利用して、シリコン面積あたりの非常に低いオン抵抗を実現します。......
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China IR2110PBF IGBTの運転者ICの破片Mosfet力トランジスター半分橋ゲートの運転者IC 14-DIP for sale

IR2110PBF IGBTの運転者ICの破片Mosfet力トランジスター半分橋ゲートの運転者IC 14-DIP

IR2110PBF力MOSFETおよびIGBTの運転者ICは半橋ゲートの運転者IC 14-DIPを欠きます 記述 IR2110/IR2113は独立した高低の側面の参照された出力チャネルが付いている高圧、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者です。専有HVICおよび掛け金免疫CMOS......
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