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JOPTEC LASER CO., LTD
レーザーの部品および向こう
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密封状態で密封された電子パッケージ (19)
密閉高い発電レーザーのパッケージ (7)
密閉光ファイバーコミュニケーション パッケージ (15)
蝶パッケージ (6)
トランジスター輪郭のパッケージ (12)
雑種の集積回路のパッケージ (4)
密閉赤外線探知器のパッケージ (3)
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省/州:
anhui
国/地域:
china
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トランジスター輪郭のパッケージ
TO5密閉収容の帽子のトランジスター輪郭のパッケージ
製品名: ヘッダーTO-39ヘッダーに大量 めっき: 底板、鉛のめっきNI:3-8.9um、底板および鉛のめっきAu>=0.03um。 プロダクト構成: 材料 量 1. 鉛1 4J29 (Kovar) 1 2. 鉛2 4J29 (Kovar) 3 3. ガラス絶縁体 BH-G/K 3 4. ボトム ...
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速い回転SPCC底円の金属の密閉To39ヘッダー
製品名: 金張りのkovar密封状態で密封の円のパッケージ めっき: 底板、鉛のめっきNI:3-8.9um、底板および鉛のめっきAu>=0.03um。 プロダクト構成: 材料 量 1. 鉛1 4J29 (Kovar) 1 2. 鉛2 4J29 (Kovar) 3 3. ガラス絶縁体 BH-G/K 3 ...
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TO8ヘッダーは部品のトランジスター輪郭のパッケージを内部に閉じ込めた
製品名: 回路のための密封されたエンクロージャの合金のパッケージ 終わり: 十分にAuか選択的なめっきのAuをめっきすること。 コーティングのめっき: 版および鉛のめっきNI:Auをめっきする4-11.43um:1.0-1.3um.NIをめっきする帽子:4-11.43um. プロダクト形成: 材料 ...
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ダイオードの構成モジュールのFenico光学センサー パッケージ
製品名 光学センサー パッケージのダイオード構成モジュールのパッケージ 終わり:アイレットおよびピンはめっきされたNIである:1.3-8.9umおよびめっきされたAu≥0.3um 絶縁抵抗:2つのピン≥1*1010Ω間の500V DCの抵抗 Hermeticity:漏出rate≤1*10-3Pa.....
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ワイヤー結束の表面の鋳造の基礎トランジスター輪郭のパッケージ
製品名 大口径ワイヤー結束の表面が付いている強い鋳造の基盤 プロダクト モデル JOPTEC コーティングのめっき 十分にAuか選択的なめっきのAuをめっきすること 終わり 貝およびピンはめっきされたNIである:2~11.43umおよびAu≥1.3um;帽子はめっきされたNIである:2~11......
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トランジスター パッケージ ヘッダーへのFeNiCoの貝強い8pin
製品名 帽子が付いている強いトランジスター輪郭ヘッダー プロダクト モデル JOPTEC コーティングのめっき 十分に帽子によってAuか選択的なめっきの強いトランジスター輪郭ヘッダーをめっきすること 終わり 貝およびピンはめっきされたNIである:2~11.43umおよびAu≥1.3um;帽子はめっき...
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65Ghz DC Feedhrough TO56のトランジスター輪郭のパッケージ
製品名 DC Feedhrough 65Ghzの頻度および窒化アルミニウムとのTO56 プロダクト モデル TO56 プロダクト形成 材料 量 1. 基盤 SPCC 1 2. Pin 4J50 4 3. ガラス絶縁体 Coining7072 4 4. Pin2 4J50 1 5. ろう付けリング ....
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カバー4J42マイクロエレクトロニック圧力センサー ヘッダーを収容するSS
製品名 圧力センサー ヘッダー、カバー4J42 絶縁抵抗 1*1010Ω 1*1010Ω 1*109Ω 1*1010Ω Hermeticity 漏出率≤1*10-3Pa.cm3/s 材料: アイレット CRS1010 Kovar Kovar Kovar Pin 銅の芯を取られた50alloy ......
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ガラスJEDEの自動車SMDトランジスター輪郭のパッケージ
製品名:におよびSMDのトランジスター装置のためのタイプ パッケージ 適用:家庭電化製品、自動車、船、自動車、パワー エレクトロニクス、等の分野の機械類そして電化製品の自動制御。 製品特性:外のり寸法はJEDEの標準に合い、ガラスか陶磁器の気密の関係は使用される。それは挿入および表面取り付けのために...
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To39トランジスター輪郭のパッケージ
製品名 TO39パッケージ プロダクト モデル JT-TO プロダクト形成 材料 量 1. 基盤 Kovar 1 2. Pin Kovar 4 3. ガラス絶縁体 BH-A/K 4 4. ろう付けリング HlAgCu28 1 5. Pin2 Kovar 1 絶縁抵抗 単一ピンと基盤≥1*1010Ω間...
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