JOPTEC LASER CO., LTD

レーザーの部品および向こう

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密封状態で密封された電子パッケージ

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陶磁器の光電子工学の密閉高い発電レーザーのパッケージ

主要なパフォーマンス パラメータ 適用分野:ポンプ レーザーのパッケージ 鉛の溶接方法:錫の溶接、金ワイヤー結合 層の厚さにニッケルを被せなさい:>3μm 金の層の厚さ:>0.45μm Hermeticity:漏出率≤1x10-3Pa.cm3/s (彼) 絶縁抵抗:≥1000MΩ (DC500V) ...
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正確な脱熱器陶磁器の密閉高い発電レーザーのパッケージ

技術特性: プロダクト:マイクロ チャネル脱熱器 サイズ:27.00 x 10.80 x 1.50 mm 破片の進攻準備地域の平坦:≤ 2 um 破片の進攻準備地域の荒さ:≤ 0.3 um 厚さのめっき:NI (2-5um) Au (0.05-0.15um) 水流:≥ 300ml/min 高い熱伝導...
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密封状態で収容する42合金は電子パッケージを密封した

製品名: 適した深い引くこと小国家の土台表面に垂直な42の合金ハウジングの鉛 終わり: 十分にAuか選択的なめっきのAuをめっきすること めっき: パッケージはめっきされたNIである:3~11.43umおよびAu ≥0.8umピンはめっきされたAu ≥1.3umである;ふたはめっきされたAu ≥0....
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2つのPinの半導体レーザーの密閉高い発電レーザーのパッケージ

主要なパフォーマンス パラメータ 適用分野:ポンプ レーザーのパッケージ 鉛の溶接方法:錫の溶接、金ワイヤー結合 層の厚さにニッケルを被せなさい:>3μm 金の層の厚さ:>0.45μm Hermeticity:漏出率≤≤1x10-3Pa.cm3/s (彼) 絶縁抵抗:≥1000MΩ (DC500V) ...
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ポンプ密閉高い発電レーザーのパッケージ

主要なパフォーマンス パラメータ 適用分野:ポンプ レーザーのパッケージ 鉛の溶接方法:錫の溶接、金ワイヤー結合 層の厚さにニッケルを被せなさい:>3μm 金の層の厚さ:>0.45μm Hermeticity:漏出率≤≤1x10-3Pa.cm3/s (彼) 絶縁抵抗:≥1000MΩ (DC500V) ...
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Kovarの半導体レーザーのパッケージ

主要なパフォーマンス パラメータ 適用分野:ポンプ レーザーのパッケージ 鉛の溶接方法:錫の溶接、金ワイヤー結合 層の厚さにニッケルを被せなさい:>3μm 金の層の厚さ:>0.45μm Hermeticity:漏出率≤≤1x10-3Pa.cm3/s (彼) 絶縁抵抗:≥1000MΩ (DC500V) ...
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ダイオードの密閉高い発電レーザーのパッケージ

主要なパフォーマンス パラメータ 適用分野:ポンプ レーザーのパッケージ 鉛の溶接方法:錫の溶接、金ワイヤー結合 層の厚さにニッケルを被せなさい:>3μm 金の層の厚さ:>0.45μm Hermeticity:漏出率≤≤1x10-3Pa.cm3/s (彼) 絶縁抵抗:≥1000MΩ (DC500V) ...
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珍しい鉛FormingExtendedはICRの密閉パッケージに底を付ける

主要なパフォーマンス パラメータ 適用分野:ICRのパッケージ 鉛の溶接方法:錫の溶接、金ワイヤー結合 ニッケル メッキの厚さを:>3μm 金張りの厚さ:>0.45μm Hermeticity:漏出率≤1x10-3Pa.cm3/s (彼) 材料: 貝:Kovarの合金、銅、アルミニウム、鋼鉄、等。 ...
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WSS密閉光ファイバーコミュニケーション パッケージ

主要なパフォーマンス パラメータ 適用分野:WSSのパッケージ 鉛の溶接方法:錫の溶接、金ワイヤー結合 ニッケル メッキの厚さを:>3μm 金張りの厚さ:>0.45μm Hermeticity:漏出率≤1x10-3Pa.cm3/s (彼) 材料: 貝:Kovarの合金、銅、アルミニウム、鋼鉄、等。 ...
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低い漏出率のオプティカル スイッチのジャイロ スコープの密閉シール

主要なパフォーマンス パラメータ 適用分野:オプティカル スイッチおよび視覚繊維のジャイロ スコープ 鉛の溶接方法:錫の溶接、金ワイヤー結合 ニッケル メッキの厚さを:>3μm 金張りの厚さ:>0.45μm Hermeticity:漏出率≤1x10-3Pa.cm3/s (彼) 材料: 貝:Kovar...
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