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JOPTEC LASER CO., LTD
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シティ:
hefei
省/州:
anhui
国/地域:
china
連絡窓口:
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密閉高い発電レーザーのパッケージ
陶磁器の光電子工学の密閉高い発電レーザーのパッケージ
主要なパフォーマンス パラメータ 適用分野:ポンプ レーザーのパッケージ鉛の溶接方法:錫の溶接、金ワイヤー結合層の厚さにニッケルを被せなさい:>3μm金の層の厚さ:>0.45μmHermeticity:漏出率≤1x10-3Pa.cm3/s (彼) 絶縁抵抗:≥1000MΩ (DC5......
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正確なヒートシンク セラミック・ヘルメティック・ハイパワーレーザー・パッケージ
技術特性: 製品: マイクロチャネルヒートシンク サイズ: 27.00 x 10.80 x 1.50 mm チップの設置面積の平らさ: ≤ 2um チップの設置面積の粗さ: ≤ 0.3 um 塗装厚さ:ニ (2-5um) Au (0.05-0.15um) 水流量 ≥ 300ml/min 高熱伝......
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密封状態で収容する42合金は電子パッケージを密封した
製品名: 適した深い引くこと小国家の土台表面に垂直な42の合金ハウジングの鉛 終わり: 十分にAuか選択的なめっきのAuをめっきすること めっき: パッケージはめっきされたNIである:3~11.43umおよび......
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2つのPinの半導体レーザーの密閉高い発電レーザーのパッケージ
主要なパフォーマンス パラメータ 適用分野:ポンプ レーザーのパッケージ鉛の溶接方法:錫の溶接、金ワイヤー結合層の厚さにニッケルを被せなさい:>3μm金の層の厚さ:>0.45μmHermeticity:漏出率≤≤1x10-3Pa.cm3/s (彼) 絶縁抵抗:≥1000MΩ (DC......
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ポンプ密閉高い発電レーザーのパッケージ
主要なパフォーマンス パラメータ 適用分野:ポンプ レーザーのパッケージ鉛の溶接方法:錫の溶接、金ワイヤー結合層の厚さにニッケルを被せなさい:>3μm金の層の厚さ:>0.45μmHermeticity:漏出率≤≤1x10-3Pa.cm3/s (彼) 絶縁抵抗:≥1000MΩ (DC......
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Kovarの半導体レーザーのパッケージ
主要なパフォーマンス パラメータ 適用分野:ポンプ レーザーのパッケージ鉛の溶接方法:錫の溶接、金ワイヤー結合層の厚さにニッケルを被せなさい:>3μm金の層の厚さ:>0.45μmHermeticity:漏出率≤≤1x10-3Pa.cm3/s (彼) 絶縁抵抗:≥1000MΩ (DC......
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ダイオードの密閉高い発電レーザーのパッケージ
主要なパフォーマンス パラメータ 適用分野:ポンプ レーザーのパッケージ鉛の溶接方法:錫の溶接、金ワイヤー結合層の厚さにニッケルを被せなさい:>3μm金の層の厚さ:>0.45μmHermeticity:漏出率≤≤1x10-3Pa.cm3/s (彼) 絶縁抵抗:≥1000MΩ (DC......
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