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China 4H-P シリコンカービッド SiC 基板 4インチ SIC ウェーファー 6H-P III-V 窒素堆積用 for sale

4H-P シリコンカービッド SiC 基板 4インチ SIC ウェーファー 6H-P III-V 窒素堆積用

SiC基板,シリコンカービッド基板,SiC原材料基板,シリコンカービッド原材料基板,プライムグレード,ダミーグレード,4H-P SiC基板,6H-P SiC基板,3C-N SiC 2インチ SiC,4インチ SiC,6インチ SiC8インチシリウム12インチSiC,4H-N,4H-SEMI,6H-N...
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China 6H-P シリコンカービッド SiC 基板 6インチ SIC ウェーファー 4H-P 光電子機器用 for sale

6H-P シリコンカービッド SiC 基板 6インチ SIC ウェーファー 4H-P 光電子機器用

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China 10のMm X Semi-Insulatingタイプ10のMmの6HのSiCの基質の研究の等級SiCの水晶基質 for sale VIDEO

10のMm X Semi-Insulatingタイプ10のMmの6HのSiCの基質の研究の等級SiCの水晶基質

10のMm X Semi-Insulatingタイプ10のMmの6HのSiCの基質の研究の等級SiCの水晶基質 4inch dia100m 4H-Nのタイプ生産の等級の模造の等級SiCの基質、半導体デバイスのための炭化ケイ素の基質、4h-semi 4h-Nは正方形の形sicのウエファー、10......
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China 6inch Dia 150mmのSBD MOSの塗布のための350um厚さ4H NのタイプSiCの基質 for sale

6inch Dia 150mmのSBD MOSの塗布のための350um厚さ4H NのタイプSiCの基質

MOSの塗布のSBDのための6inch Dia150mm 350umの厚さ4H NのタイプSiCの基質 半2inch Dia50mm 4H SiCの基質の研究の等級の単結晶 2inch dia50mm 330μmの厚さ4H NタイプSiCの基質の生産の等級 2inch炭化ケイ素のウエファ......
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China 3インチの炭化ケイ素のウエファー、Sicの基質の優秀で一時的な特徴 for sale

3インチの炭化ケイ素のウエファー、Sicの基質の優秀で一時的な特徴

3inch sicのウエファー、4H高い純度の炭化ケイ素の基質、高い純度4inch SiCの基質、半導体のための4inch炭化ケイ素の基質、4inch SiCの基質、semconductorのための炭化ケイ素の基質、sicの単結晶のウエファー、宝石のためのsicのインゴット アプリケーション......
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China 4H-NタイプSemi-Insulating SiCの基質2inch 3inch 4inchの炭化ケイ素のウエファー for sale

4H-NタイプSemi-Insulating SiCの基質2inch 3inch 4inchの炭化ケイ素のウエファー

4H-NタイプSemi-Insulating SiCの基質2inch 3inch 4inchの炭化ケイ素のウエファー MOSの塗布のSBDのための6inch Dia150mm 350umの厚さ4H NのタイプSiCの基質 半2inch Dia50mm 4H SiCの基質の研究の等級の単結晶......
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China 330um厚さ4H-NのタイプSiCの基質の生産の等級Dia50.8mm 2inch for sale

330um厚さ4H-NのタイプSiCの基質の生産の等級Dia50.8mm 2inch

2inch dia50.8mm 330μmの厚さ4H-NのタイプSiCの基質の生産の等級 2inch炭化ケイ素のウエファー6Hまたは4HのNタイプかSemi-Insulating SiCの基質 4H-Nタイプ/半絶縁SiCの基質2inch 3inch 6inchの炭化ケイ素のウエファー......
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China 2inch Dia 50.8mm 4H-Semi SiCの基質の研究の等級の単結晶 for sale

2inch Dia 50.8mm 4H-Semi SiCの基質の研究の等級の単結晶

2inch Dia50.8mm 4H-Semi SiCの基質の研究の等級の単結晶 2inch dia50mm 330μmの厚さ4H NタイプSiCの基質の生産の等級 2inch炭化ケイ素のウエファー6Hまたは4HのNタイプかSemi-Insulating SiCの基質 4H-Nタイプ/半......
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China 4H-SEMI SiC基板切断ディスク 半径10mm 厚さ5mm <0001> 高硬さ for sale VIDEO

4H-SEMI SiC基板切断ディスク 半径10mm 厚さ5mm <0001> 高硬さ

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China 4インチ 3C N型 SiC基板 シリコンカービッド基板 厚さ350um プライムグレード ダミーグレード for sale

4インチ 3C N型 SiC基板 シリコンカービッド基板 厚さ350um プライムグレード ダミーグレード

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