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- デザインアートワークでカスタマイズされたものをサポートします
- 六角結晶 (4H SiC) で,SiCモノ結晶から作られる
- 高硬度 モース硬度9まで2ダイヤモンドに次ぐ
- 高温環境に適した優れた熱伝導性
- 高周波,高電力電子機器に適した広い帯域特性が有する.
P型SiC基板は,高電力および高周波電子機器に広く使用される重要な半導体材料である.三重性元素 (アルミやガリウムなど) をドーピングすることによって,P型SiC基板はP型特性を形成する材料が良質な電導性と高いキャリア濃度を持つことができる.優れた熱伝導性と高断熱電圧により,極端な条件下で安定した性能を維持できます.
P型SiC基板は,高温の安定性と放射線抵抗性が優れ,高温環境でも正常に動作できます.4H-SiC基板は,強い電磁場下でエネルギー損失が低く,電気自動車で使用するのに適しています.さらに,優れた熱伝導性は,装置の散熱効率を向上させ,使用期間を延長します.
P型SiC基板は,電源装置,RF装置,光電子装置に広く使用されている.
高電圧,高温,高周波のニーズを満たすために,P型MOSFETやIGBTなどのデバイスを製造するためにしばしば使用されます. さらに,技術の発展とともに,4H-P型SiC基板は,将来の電力電子機器とスマートグリッドにおいてますます重要な役割を果たす.
P型SiC基板の詳細
|
資産 |
P型4H-SiC 単結晶 | P型 6H-SiC 単結晶 |
| 格子パラメータ | a=3.082 Å c=10.092 Å |
a=3.09 Å c=15.084 Å |
| 積み重ねの順序 | ABCB | ACBABC |
| モース硬さ | ≈92 | ≈92 |
| 密度 | 3.23g/cm3 | 3.0 g/cm3 |
| 熱 膨張係数 | 4.3×10-6/K (カキシ) 4.7×10-6/K (カキシ) | 4.3×10-6/K (カキシ) 4.7×10-6/K (カキシ) |
| 屈折指数 @750nm | no = 2,621 ne = 2 について671 | no=2.612 ne=2 について651 |
| ダイエレクトリック常数 | c~966 | c~966 |
|
熱伝導性 |
3-5 W/cm·K@298K |
3-5 W/cm·K@298K |
| バンドギャップ | 3.26 eV | 3.02 eV |
| 断裂する電場 | 2-5×106V/cm | 2-5×106V/cm |
|
飽和漂流速度 |
2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
P型SiC基板のサンプル
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よくある質問
1N型と比べると P型はどうでしょう?
A:P型4H-SiC基板は アルミニウムのような三価元素で 補給され,その大半のキャリアは穴があり,高温での 良好な伝導性と安定性があります.N型基板リンゴは,リンゴのような五価元素でドープされ,電子を多数担体として持つため,通常は電子の移動性が高く,抵抗性が低くなります.
2Q:P型 SiCの市場見通しは?
A:P型SiCの市場見通しは非常に前向きで,電動車,再生可能エネルギーシステム,そして先進的な産業用アプリケーション.
