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indium-phosphide-wafer
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indium-phosphide-wafer
インディウム・フォスフィード・ウェーファー INP 半導体基板 エピタキス 2'' 3' 4' 厚さ 350um
インディアム・フォスフィード・ウェーファー INP 半導体基板 エピタキシアル 2'' 3' 厚さ 350um 記述インディアム・フォスフィード: インディアム・フォスフィード (InP) チップは,光電子機器および半導体装置で広く使用される材料である.以下の利点がある: 高......
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半絶縁の2インチ50mm Nのタイプ模造INPリン化インジウムのウエファー
2inch dia50.8mmのnタイプの模造の主な等級INPリン化インジウムのウエファー 4inch LDの半導体レーザーのためのSemi-Insulatingリン化インジウムINPウエファー、半導体ウエハー、3inch INPウエファー、LDの適用のための単結晶wafer2inch 3inch....
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2' 4' InP ウェーファー インディウム・フォスフィード ウェーファー 半導体基板 350um 650um
2' 4' InP ウェーファー インディウム・フォスフィード ウェーファー 半導体基板 350um 650um 記述INPウエファー: InP (インディウム・フォスフィード) チップは,光二極管,レーザー,光電センサーなどの高性能光電子機器の製造に使用される半導体材料です.......
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LDのための第一次/模造の等級のリン化インジウムのウエファーの厚さ350um
2inch LDのためのNタイプのPタイプの厚さ350umの第一次等級の模造の等級のリン化インジウム水晶INP基質のウエファー リン化インジウムの単結晶材料はリン化インジウムの基質(LD)の半導体レーザーのための主原料のほとんどの重要な半導体の混合物の1つ、発光ダイオード(LED)、光通信の......
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InPレーザー エピタキシアル・ウェーファー インディウム・フォスフィード・ウェーファー DFB/EML エピタキシアル・ウェーファー インテリジェント・センシ
2インチ半絶縁インディアム・フォスフィード INP エピタキシアル・ウェーファー LDレーザーダイオード,半導体エピタキシアル・ウェーファー,3インチ INPウェーファー,シングルクリスタルウェーファー 2インチ 3インチ 4インチ INP基板,半導体ウエファー,INPレーザーエピタキシャルウエファ...
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半導体レーザーINPリン化インジウムのウエファー100mmの直径の黒色
4inch LDの半導体レーザーのためのSemi-Insulatingリン化インジウムINPウエファー、半導体ウエハー、3inch INPウエファー、LDの適用のための単結晶wafer2inch 3inch 4inch INP基質、半導体ウエハー、INPウエファー、単結晶のウエファー......
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黒いリン化インジウムのウエファー、LDの適用のための半導体ウエハー
LDの適用のための2inch 3inch 4inch INP基質、半導体ウエハー、INPウエファー、単結晶のウエファー INPは導入します INP単結晶 tCZの成長(Czochralski変更された方法)......
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GE光学INPウエファー、半導体デバイスのリン化インジウムのウエファー
ゲルマニウムの単結晶のウエファー、GEの光学版 ゲルマニウムの基質 適用:半導体デバイス、赤外線光線の光学装置、太陽電池の沈降材料の生産で使用されるゲルマニウムのウエファー。 主要な特性の言葉 生産方法 Czochral......
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GEの光学版のリン化インジウムのウエファーの優秀な半導体材料
ゲルマニウムの単結晶のウエファー、GEの光学版 ゲルマニウムの基質 適用:半導体デバイス、赤外線光線の光学装置、太陽電池の沈降材料の生産で使用されるゲルマニウムのウエファー。 主要な特性の言葉 生産方法 Czochral......
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ゲルマニウムの単結晶のリン化インジウムのウエファーはGEの光学レンズ4/6インチをカスタマイズしました
4inch 6inchのゲルマニウムの単結晶GEの基質のウエファー、カスタマイズされたGEの光学レンズ ゲルマニウムの基質 適用:半導体デバイス、赤外線光線の光学装置、太陽電池の沈降材料の生産で使用されるゲルマニウムのウエファー。 主要な特性の言葉......
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