インディウム・フォスフィード・ウェーファー INP 半導体基板 エピタキス 2'' 3' 4' 厚さ 350um

インディアム・フォスフィード・ウェーファー INP 半導体基板 エピタキシアル 2'' 3' 厚さ 350um

記述インディアム・フォスフィード:

インディアム・フォスフィード (InP) チップは,光電子機器および半導体装置で広く使用される材料である.以下の利点がある:

• 高電子移動性: インディアム・フォスフィードチップは高電子移動性があり,電子が材料を通って速く移動することを意味します.

• 制御された材料特性: インディアム・フォスフィード・ウエフルの性質は,材料とドーピング技術における上軸生長過程を制御することによって制御することができる.

• 広帯域ギャップ: インディアム・フォスフィード・ウエファーは広帯域ギャップがあり,可視光と赤外線範囲で動作することができます.

• 高飽和漂流速度: インジアム・フォスフィード・ウェーファーは高飽和漂流速度を有し,これは電子漂流速度が高電場下で最大に達することを意味します.

• 優れた熱伝導性: インディアム・フォスフィード・ウエファーは高熱伝導性があり,効率的に熱を伝導し散らすことができる.装置の信頼性と性能安定性を向上させる.

特徴インディアム・フォスフィード:

インディアム・フォスフィード (InP) チップは,光電子と半導体で広く使用されるいくつかの顕著な特性があります.以下は,インジアム・フォスフィードチップ材料の主な特徴の一部です.:

• 直帯隙間: インディウム・フォスフィードは直帯隙間特性を有し,光学装置では優れた性能を持つ.

• 幅広い帯域のギャップ範囲: インディアム・フォスフィードは赤外線から紫外線のスペクトルまでの広い帯域のギャップを持っています.

• 高電子移動性: インディアム・フォスフィードは高電子移動性があり,高周波電子機器および高速光電子機器において優れた性能を有する.

• 優れた熱伝導性: インディアム・フォスフィードは高熱伝導性があり,熱を効果的に散らすことができる.

• 良質な機械的および化学的安定性: インディアム・フォスフィードチップは,良質な機械的および化学的安定性があり,さまざまな環境条件下で安定性と信頼性を維持することができます.

• 調節可能な帯構造: インジアム・フォスフィード材料の帯構造は,異なる装置の要件を満たすためにドーピングおよび合金技術によって調節することができます.

技術パラメータインディアム・フォスフィード:

適用するインディアム・フォスフィード:

インディアム・フォスフィード (InP) ワッフルは,光電子と半導体基板の幅広い用途があります.

• 光通信: InP ウェーファは高速光ファイバー通信システムにおける光通信分野で広く使用されています.光学調節器光接着器,光増幅器,光ファイバーカップラー

• 光電子装置: InP ウェーファは,光二極管,光検出器,太陽電池,光相結合器などの光電子装置を製造するために使用されます.

• 高速電子機器: InP基板は,高周波電子機器の分野で広く使用されています.特に,InPワッフの高電子移動性トランジスタ (HEMT) は,高周波アンプなどのデバイスを準備するために使用されます.ワイヤレス通信,レーダーシステム,衛星通信などのアプリケーションのためのRFスイッチとマイクロ波統合回路.

• 統合光学装置: InPウエファは,光学波導体,光学調節器,光学スイッチ,光学増幅器などの統合光学装置を準備するために使用されます.

• フォトニクス研究: InPウェーバーはフォトニクス研究において重要な役割を果たし,実験室研究,量子光学,量子情報処理,および光学量子装置で使用されている.

• 上記の用途に加えて,InPウエファは,光センサー,生物医学,光貯蔵,半導体基板などの他の分野にも使用されています.

FAQ:

Q1: ブランド名は何ですか?INPウエファー?
A1: そのINPウエファーがZMSHが作りました

Q2: 半径は?INPウエファー?
A2: 直径INPウエファーが2フィート 3フィート 4フィート

Q3: どこにINPウエファーどこにいるの?
A3: そのINPウエファー中国から来た

Q4: 生産量はINPウエファーROHS認証は?
A4: そうですINPウエファー ROHS認証されています

Q5: InP はいくつあるの?ワッフルは一度に買えますか?
A5: 注文の最小量INPウエファー5個分です

その他の製品:

シリコン・ウェーフ