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Changzhou Junqi International Trade Co.,Ltd
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省/州:
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BLDC モータードライバーIC
40V/80A TO-252 N チャネル増強モード パワー MOSFET JY4N8M
一般説明: 特徴: JY4N8Mは,高セル密度を達成するために最新の溝処理技術を活用し,低ゲートチャージでオン抵抗を軽減します.この設計は,電源スイッチアプリケーションおよび他のアプリケーションの幅広い種類で使用するために非常に効率的で信頼性の高いデバイスを作る. 応用: ● 40V......
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Nチャネル増強モード パワー MOSFET JY8N5M TO252 高電力 500V 4A フィールド効果チューブ
一般説明: この製品は高度な平面処理技術を使用して,高い細胞密度を達成し,重複性のある高い雪崩評価でオン抵抗を軽減します.この設計は,非常に効率的で信頼性の高い電力切換アプリケーションや様々な他のアプリケーションで使用するための装置です. 特徴: ● 500V/8A,RDS (オン) =......
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NとPチャンネル 30V MOSFET JY12M 3相Hブリッジ回路 BLDC モスフェットドライバー
一般的な説明: JY12MはNとPチャネル論理強化モードの電源フィールドトランジスタで,高細胞密度DMOSトレンチ技術を使用して製造されています.この高密度プロセスは,特に状態での抵抗を最小限にするために設計されています携帯電話やノートPCなどの低電圧アプリケーションに特に適しています.と低線電.....
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JY16M Nチャネル増強モード パワースイッチングアプリケーションのためのパワーMOSFET
一般説明: JY16Mは最新の トレンチ処理技術を活用して 高い細胞密度を達成し 繰り返しの高い雪崩評価でオン抵抗を減らす.この設計は,電源スイッチアプリケーションおよび他のアプリケーションの幅広い種類で使用するために非常に効率的で信頼性の高いデバイスを作る. 特徴: ● 600V/4A......
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JY14M 40V/200A Nチャネル増強モード パワー MOSFET パワースイッチ用
概要 説明: JY14Mは高細胞密度を達成するために 最新の溝処理技術を活用し 高重複の雪崩評価でオン抵抗を軽減しますこの設計は,電源スイッチアプリケーションおよび他のアプリケーションの幅広い種類で使用するために非常に効率的で信頼性の高いデバイスを作る. 特徴: ● 40V/200A......
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JY2605M 12V-24Vモータードライブシステム用のダブルNチャンネル強化モード電源MOSFET
一般説明: この製品は,高細胞密度を達成するために最新の溝処理技術を活用し,低ゲート充電でオン抵抗を軽減します.この設計は,電源スイッチアプリケーションおよび他のアプリケーションの幅広い種類で使用するために非常に効率的で信頼性の高いデバイスを作る. 特徴: ● 60V/50A,RDS (......
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Nチャネル増強モード パワー MOSFET JY11M ハードスイッチと高周波回路用
一般説明: JY11Mは,高セル密度を達成するために最新の溝処理技術を使用し,高重複の雪崩評価でオン抵抗を軽減します.この設計は,電源スイッチアプリケーションや様々な他のアプリケーションで使用するための非常に効率的で信頼性の高いデバイスです. 特徴: ● 100V/110A,RDS (オン......
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JY213L SSOP-20 ハーフブリッジドライブ 90V 3相ゲートドライバー 3つの独立した高低サイド
記述: JY213Lは,電源MOSFETおよびIGBTデバイスのための高速3相ゲートドライバで,3つの独立した高側および低側参照出力チャネルを有する.ダウンタイム保護と射撃通過保護は,半橋の損傷を防ぐUVLO回路は,VCCとVBSが指定された限界電圧を下回ると故障を防ぐ. A novel hig.....
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JY213H SOP20 BLDCモータードライバー MOSFET / IGBTドライバー 高速高電圧3相ゲートドライバー
記述: JY213Hは,3相ゲートドライバのための3つの独立した高低サイド参照出力チャネルを持つ高速電力MOSFETとIGBTドライバです.半ブリッジの故障を防止する内蔵デッドタイム保護とショットスルー保護UVLO回路は,VCCとVBSが指定された限界電圧を下回ると故障を防ぐ.600V高電圧プロ.....
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高電流負荷のためのPチャネル増強モード電源MOSFET JY4P7M
一般説明: JY4P7Mは,高セル密度を達成するために最新の溝処理技術を活用し,低ゲートチャージでオン抵抗を軽減します.この設計は,高電流で使用するための非常に効率的で信頼性の高い装置です 負荷アプリケーション 特徴: ● ‐40V/‐70A,RDS (オン) ≤10mΩ@VG......
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