Changzhou Junqi International Trade Co.,Ltd

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Nチャネル増強モード パワー MOSFET JY11M ハードスイッチと高周波回路用

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Nチャネル増強モード パワー MOSFET JY11M ハードスイッチと高周波回路用

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モデル番号 :JY11M
原産地 :中国
最低順序量 :50pcs (利用できるサンプル)
支払の言葉 :T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給能力 :1000pcs / 日
受渡し時間 :順序の量/Negotiableによって決まりなさい
包装の細部 :輸出のための続き
名前 :NチャネルMOSFET
モデルNO :JY11M
下水管源の電圧 :100V (Tc=25°C)
ゲート源の電圧 :±20V
連続的な下水管の流れ :110A (Tc=25°C)
作動の接続点および保管温度の範囲 :-55~+175°C
逆体回復 :そうだ
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一般説明:


JY11Mは,高セル密度を達成するために最新の溝処理技術を使用し,高重複の雪崩評価でオン抵抗を軽減します.
この設計は,電源スイッチアプリケーションや様々な他のアプリケーションで使用するための非常に効率的で信頼性の高いデバイスです.


 特徴:

 

● 100V/110A,RDS (オン) =6.5mΩ@VGS=10V
● 快速 に 切り替わり,身体 を 逆 に 回復 する
● 雪崩 の 電圧 と 流れ が 完全 に 特徴づけ られ た
● 熱 の 散乱 を 促進 する 優れた パッケージ

 

応用:

 

● アプリケーション を 切り替える
● ハード スイッチ と 高周波 回路
● インバーター システム の 電力 管理

 

PIN 記述:

 

Nチャネル増強モード パワー MOSFET JY11M ハードスイッチと高周波回路用

絶対最大濃度 (Tc=25°C,別記がない限り):

 

シンボル パラメータ 制限 ユニット
VDS 排水源電圧 100 V
VGS ゲートソース電圧 ±20 V
私はD 連続流流 TC=25°C 110 A について
TC=100°C 82
私はDM パルスドレイン電流 395 A について
PD 最大電力消耗 210 W
TJTSTG 動作交差点と貯蔵温度範囲 -55~+175 °C
RΘJC 熱抵抗-ケースへの接点 0.65 °C/W
RθJA
熱抵抗-環境への接点 62

 

TO220-3 パッケージ概要:

Nチャネル増強モード パワー MOSFET JY11M ハードスイッチと高周波回路用
 

シンボル mm インチ シンボル mm インチ
ミニ ノム マックス ミニ ノム マックス ミニ ノム マックス ミニ ノム マックス
A について 4.40 4.57 4.70 0.173 0.180 0.185 Øp1 1.40 1.50 1.60 0.055 0.059 0.063
A1 1.27 1.30 1.33 0.050 0.051 0.052 e 2.54BSC 0.1BSC
A2 2.35 2.40 2.50 0.093 0.094 0.098 e1 5.08BSC 0.2BSC
b 0.77 - 0.90 0.030 - 0.035 H1 6.40 6.50 6.60 0.252 0.256 0.260
b2 1.23 - 1.36 0.048 - 0.054 L について 12.75 - 13.17 0.502 - 0.519
C について 0.48 0.50 0.52 0.019 0.020 0.021 L1 - - 3.95 - - 0.156
D 15.40 15.60 15.80 0.606 0.614 0.622 L2 2.50REF 0.098REF
D1 9.00 9.10 9.20 0.354 0.358 0.362 Øp 3.57 3.60 3.63 0.141 0.142 0.143
DEP 0.05 0.10 0.20 0.002 0.004 0.008 Q について 2.73 2.80 2.87 0.107 0.110 0.113
E について 9.70 9.90 10.10 0.382 0.389 0.398 Θ1
E1 - 8.7 - - 0.343 - Θ2
E2 9.80 10.00 10.20 0.386 0.94 0.401              

 

 

詳細については,ivanzhu@junqitradinig.comのメールで直接ご連絡ください.

 

 

 

 

 

 
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