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一般説明:
特徴:
JY4N8Mは,高セル密度を達成するために最新の溝処理技術を活用し,低ゲートチャージでオン抵抗を軽減します.この設計は,電源スイッチアプリケーションおよび他のアプリケーションの幅広い種類で使用するために非常に効率的で信頼性の高いデバイスを作る.
応用:
● 40V/80A,RDS (オン) ≤6.5mΩ@VGS=10V
● 快速 に 切り替わり,身体 を 逆 に 回復 する
● 雪崩 の 電圧 と 流れ が 完全 に 特徴づけ られ た
● 熱 の 散乱 を 促進 する 優れた パッケージ
PIN 記述:
絶対最大値 (Tc=25°C) は,別記がない限り)
| シンボル | パラメータ | 制限 | ユニット | |
| VDS | 排水源電圧 | 40 | V | |
| VGS | ゲートソース電圧 | ±20 | V | |
| 私はD | 連続流流 | Tc=25°C | 80 | A について |
| Tc=100°C | 55 | |||
| 私はDM | パルスドレイン電流 | 350 | A について | |
| PD | 最大電力消耗 | 80 | W | |
| TJTSTG | 動作交差点と貯蔵温度範囲 | -55~+175 | °C | |
| RΘJC | 熱抵抗-ケースへの接点 | 1.88 | °C/W | |
| RΘJA | 熱抵抗-環境への接点 | 92 | ||
パッケージの概要:
| シンボル | ミリメートル の 寸法 | 寸法 インチ | ||
| ミン | マックス | ミン | マックス | |
| A について | 2.200 | 2.400 | 0.087 | 0.094 |
| A1 | 0.000 | 0.127 | 0.000 | 0.005 |
| b | 0.660 | 0.860 | 0.026 | 0.034 |
| c | 0.460 | 0.580 | 0.018 | 0.023 |
| D | 6.500 | 6.700 | 0.256 | 0.264 |
| D1 | 5.100 | 5.460 | 0.201 | 0.215 |
| D2 | 0.483タイプ | 0.190 TYP | ||
| E について | 6.000 | 6.2000 | 0.236 | 0.244 |
| e | 2.186 | 2.386 | 0.086 | 0.094 |
| L について | 9.800 | 10.400 | 0.386 | 0.409 |
| L1 | 2.900 TYP | 0.114 TYP | ||
| L2 | 1.400 | 1.700 | 0.055 | 0.067 |
| L3 | 1.600 TYP | 0.063タイプ | ||
| L4 | 0.600 | 1.000 | 0.024 | 0.039 |
| ø | 1.100 | 1.300 | 0.043 | 0.051 |
| Θ | 0° | 8° | 0° | 8° |
| h | 0.000 | 0.300 | 0.000 | 0.012 |
| v | 5.350 TYP | 0.211 TYP | ||
商品の詳細については,メールで直接連絡してください: ivanzhu@junqitrading.com
