最新の価格を尋ねる
正会員
4 年
Add to Cart
MR0A08BCYS35磁気抵抗RAMメモリ（MRAM）のEHHD024A0A41Z DE118-RS-20/6.35記憶データ記憶
特徴の利点
•1つの記憶はより簡単で、より有効な設計のためのシステムのフラッシュ、SRAM、EEPROMおよびMRAMを取り替える
•電池に支えられるSRAMを取り替えることによって信頼性を改善する
•3.3ボルトの電源
•速く35 nsの読み書き周期
•SRAMの多用性があるタイミング
•原産のnon-volatility
•無制限の読書及び持久力を書くため
•温度で>20年の間不揮発性データ常に
•商業および産業温度
•すべてのプロダクトはMSL-3湿気感受性のレベルにあう
•RoHS迎合的なTSOP2およびBGAのパッケージ
利点
•1つの記憶はより簡単で、より有効な設計のためのシステムのフラッシュ、SRAM、EEPROMおよびMRAMを取り替える
•電池に支えられるSRAMを取り替えることによって信頼性を改善する
| 製品カテゴリ: | MRAM |
| TSOP-44 | |
| 平行 | |
| 1 Mbit | |
| 128 k X 8 | |
| 8ビット | |
| 35 ns | |
| 3ボルト | |
| 3.6 V | |
| 55 mA | |
| - 40 C | |
| + 85 C | |
| MR0A08B | |
| 皿 | |
| 敏感な湿気: | はい |
| 様式の取付け: | SMD/SMT |
| 製品タイプ: | MRAM |
| 135 | |
| 下位範疇: | 記憶及びデータ記憶 |
| 単位重量: | 0.178707 oz |