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電気で25AA02E48T-I/OT消去可能なプログラム可能読み取り専用メモリBAV20-TAP MFRC50001T/0FEの記憶データ記憶
特徴
•前処理プログラムを作成されたグローバルに固有の、48ビットまたは64ビット ノード住所
•EUI-48™およびEUI-64™と互換性がある
•最高のクロック周波数10のMHzの
•ローパワーCMOSの技術:-最高は流れを書く:5.5V -読まれた現在の5 mA:5.5Vの5 mA、10のMHz -スタンバイの流れ:2.5Vの1つのµA
•256のxの8ビット構成
•書きなさいページ モード（16バイトまで）を
•順次読書
•自己時限消去および書くため周期（5人の氏の最高）を
•ブロックは保護を書く:-配列どれも、1/4、1/2またはすべてを保護してはいけない
•組み込みは保護を書く:-電源-入/切のデータ保護の回路部品- Write掛け金を可能にするため-書込禁止ピン
•高い信頼性:-持久力:1,000,000の消去は/周期-データ保持--を書く:>200年- ESDの保護:>4000V
•温度較差は支えた:
- 産業（i）:-40 +85 ℃への℃
•迎合的なPbなしおよびRoHS
記述
マイクロチップ・テクノロジー株式会社25AA02E48/25AA02E64 （25AA02EXX）は2 Kbitの連続電気で消去可能PROM （EEPROM）である。記憶は簡単な連続周辺機器インターフェイス（SPI）多用性がある連続バスでアクセスされる。必要なバス信号は別々のデータの（SI）およびデータ（そう）ラインとクロックの入力（SCK）である。装置へのアクセスは破片の選り抜き（CS）入力を通して制御される。
| 製品カテゴリ: | EEPROM |
| SMD/SMT | |
| SOT-23-6 | |
| SPI | |
| 2 kbit | |
| 256 x 8 | |
| 1.8 V | |
| 5.5 V | |
| - 40 C | |
| + 85 C | |
| 10のMHz | |
| 50 ns | |
| 200年 | |
| 5 mA | |
| 巻き枠 | |
| テープを切りなさい | |
| 高さ: | 1.1 mm |
| 長さ: | 2.95 mm |
| 作動の供給の流れ: | 5 mA |
| 作動の供給電圧: | 1.8 Vから5.5ボルト |
| 製品タイプ: | EEPROM |
| 3000 | |
| 下位範疇: | 記憶及びデータ記憶 |
| 幅: | 1.63 mm |
| 単位重量: | 0.001270 oz |