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S29GL01GS10TFI010半導体メモリーICフラッシュ1G 3V 100NSの平行抜け目がない集積回路
指定:
| 記憶容量: | 1 Gbit |
| 供給電圧-分: | 2.7 V |
| 最高供給電圧-: | 3.6 V |
| インターフェイスの種類: | 平行 |
| 構成: | 64のM X 16 |
| データ・バス幅: | 16ビット |
| タイミングのタイプ: | 非同期 |
| 最低の実用温度: | - 40 C |
| 最高使用可能温度: | + 85 C |
| 包装: | 皿 |
| 建築: | 食 |
| 記憶タイプ: | |
| 敏感な湿気: | はい |
| 速度: | 100 ns |
| 工場パックの量: | 910 |
| 下位範疇: | 記憶及びデータ記憶 |
| 最高供給の流れ-: | 60 mA |
特有な特徴
CMOS多目的な入力/出力との3.0ボルトの中心
65 nm MirrorBit食の技術
読書/プログラム/消去（3.6 V）のためのの単一の供給（VCC）への2.7ボルト
多目的な入力/出力の特徴–広い入力/出力の電圧範囲（VIO）:1.65 VCCへのV
×16のデータ・バス
非同期32バイトのページは読んだ
512バイトのプログラミングの緩衝–、最大512バイトまでページの倍数でプログラムする
同じ単語の選択のの単語そして多数プログラム
の自動エラー チェックおよび訂正（ECC） –シングル・ビットのエラー修正を用いる内部ハードウェアECC
のセクターの消去–均一128 Kバイトのセクター
はプログラムおよび消去操作のための命令を中断し、再開する。
