Waltonの電子工学Co.、株式会社。

Shenzhen Walton Electronics Co., Ltd.

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BTS5016-1EKBの集積回路の半導体ICの破片の電源スイッチIC -配分PROFETの電子部品

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シティ:shenzhen
国/地域:china
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BTS5016-1EKBの集積回路の半導体ICの破片の電源スイッチIC -配分PROFETの電子部品

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型式番号 :BTS5016-1EKB
原産地 :
最低順序量 :10PCS
支払の言葉 :L/C、T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力 :10000pcs/months
受渡し時間 :1-3workdays
包装の細部 :標準
電源スイッチIC :電力配分
インストールスタイル :SMD/SMT
パッケージ/箱 :SOIC-14
包装 :2年ごとの巻き枠/切られたテープ/MouseReel
単位重量 :122.400 mg
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スマートな高側の電源スイッチBTS5016-1EKB

 

1つの概観

 

適用

•抵抗の、誘導および容量性負荷のために適した

•電気機械のリレー、ヒューズおよび分離した回路を取り替える

•ランプのような高い侵入の流れが付いている負荷のために、最も適した

 

基本的な特徴

•1つのチャネル装置

•非常に低い予備の流れ

•3.3 Vおよび5つのVの多用性がある論理の入力

•静電放電の保護(ESD)

•最大限に活用された電磁適合性

•負荷地面から独立した論理の地面

•国家を離れて現在のまさに低い電力DMOSの漏出

•緑プロダクト(迎合的なRoHS)

•AECは修飾した

 

 

記述

BTS5016-1EKBはPG-DSO-14-47 EP、露出されたパッドのパッケージで埋め込まれる16のmΩの単一チャネルのスマートな高側の電源スイッチであり保護機能および診断を提供する。力トランジスターはチャージ ポンプを搭載するN-channel縦力MOSFETによって造られる。装置はSmart6技術で統合される。特にH4までランプ、また粗い自動車環境のLEDsを運転することを設計する。

 

表1プロダクト概要

 

変数 記号 価値
作動の電圧範囲 (操作) 5ボルト… 28ボルト
最高の供給電圧 (LD) 41ボルト
州の抵抗の最高のTJ = 150 °C RDS () 32 mΩ
わずかな負荷流れ IL (NOM) 8 A
典型的な現在の感覚の比率 kILIS 3500
最低の現在の限定 IL5 (SC) 50 A
負荷とで現在の最高のスタンバイTJ = 25 °C ある() 0.7のµA

 

タイプ パッケージ
BTS5016-1EKB PG-DSO-14-47 EP BTS5016-1EKB

 

 

診断機能

•比例した負荷現在の感覚

•断続的に開いた負荷

•電池および地面への短絡

•温度過昇

•短絡の間の安定した診断信号

•温度および負荷流れとの高められたkILISの依存

 

保護機能

•不足電圧の間の安定した行動

•外的な部品との逆の極性の保護

•外的な部品との論理の地面の接続解除の間にturn-off安全な負荷

•再始動を用いる過熱保護

•外的な部品との過電圧の保護

•電圧依存した現在の限定

•高められた短絡操作

 

BTS5016-1EKBの集積回路の半導体ICの破片の電源スイッチIC -配分PROFETの電子部品

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