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在庫で元のFM25L256-Gの記憶ICデータ記憶の半導体
FM25L256は高度のferroelectricプロセスを用いる256キロビットの不揮発性メモリである。ferroelectric RAMメモリかFRAMはRAMのように不揮発性で、読み、書く行う。それは10年間EEPROMおよび他の不揮発性メモリによって起こされる複雑さ、間接費およびシステム レベルの信頼性問題を除去している間信頼できるデータ保持を提供する。
連続EEPROMsとは違って、バス速度のFM25L256 performswrite操作。遅れを負われる書いてはいけない。次のバス周期はデータ投票のための必要性なしですぐに始まるかもしれない。次のバス周期はすぐに始まるかもしれない。さらに、プロダクトは事実上無制限を書く持久力を提供する。また、FRAMはEEPROMより大いに低い電力の消費を表わす。
これらの機能は不揮発性メモリの適用要求のためのFM25L256理想を頻繁にさせるまたは急速書いたりまたは低い電力操作。例はの数が周期を長いのEEPROMの時をデータ損失を引き起こすことができる書く産業制御の要求に重大、かもしれない書くデータ収集から及ぶ。
FM25L256はハードウェアdrop-inの取り替えとして連続EEPROMのユーザーに相当な利点を提供する。FM25L256は高速を書くFRAMの技術の機能を高める高速SPIバスを使用する。装置指定は-40°Cへの+85°C.の産業温度較差に保証される。
| 製品特質 | 属性値 |
| 製造業者: | Cypressの半導体 |
| 製品カテゴリ: | F-RAM |
| 様式の取付け: | SMD/SMT |
| パッケージ/場合: | SOIC-8 |
| 記憶容量: | 256 kbit |
| インターフェイスの種類: | SPI |
| 構成: | 32 k X 8 |
| 最低の実用温度: | - 40 C |
| 最高使用可能温度: | + 85 C |
| シリーズ: | FM25L256 |
| 包装: | 管 |
| 作動の供給電圧: | 2.7 Vから3.6ボルト |
| 製品タイプ: | FRAM |
| 工場パックの量: | 100 |
| 下位範疇: | 記憶及びデータ記憶 |
| 単位重量: | 540 mg |
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