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BQ2201SNの記憶IC記憶コントローラーSMD/SMT SOIC-8 1チャネル
特徴
1.Power監視および切換え
3ボルト電池-バックアップapplica-のため
tions
制御を2.Write保護しなさい
3.3ボルトの一次電池の入力
10ns chip-enableより4.Less
伝搬遅延
5.5%か10%の供給操作
| 記憶コントローラー | |
| RoHS: | 細部 |
| 不揮発性SRAM | |
| はい | |
| 5.5 V | |
| 4.5 V | |
| 3 mA | |
| - 40 C | |
| + 85 C | |
| SMD/SMT | |
| SOIC-8 | |
| 管 | |
| 記述/機能: | すべての必要な機能をnonvolatilereadに標準的なCMOS SRAMを変えるために提供したり/記憶を書く |
| リチウム電池のモニター: | はい |
| 記憶チャネルの数: | 1 |
| 作動の供給電圧: | 5ボルト |
| 実用温度範囲: | - + 85 Cへの40 C |
| 製品タイプ: | 記憶コントローラー |
| シリーズ: | 細部 |
| 工場パックの量: | 75 |
| 下位範疇: | 記憶及びデータ記憶 |
| タイプ: | 不揮発性SRAM （NVSRAM） |
| 単位重量: | 0.002677 oz |