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EDW4032BABG-70-F-Rの元のドラムGDDR5 4G 128MX32 FBGAの記憶
特徴
•VDD = VDDQ = 1.6V/1.55V/1.5V ±3%および1.35V ±3%
•データ転送速度:6.0 Gb/s、7.0 Gb/s、8.0 Gb/s
•16の内部銀行•tCCDLのための4人の銀行団= 3 tCK
•8nビット先取りの建築:配列の読書ごとの256ビットまたはライト・アクセスをx32のために;x16のための128ビット•破烈の長さ（BL）:8のみ
•プログラム可能なCASの潜伏:7-25
•プログラム可能潜伏を書きなさい:4-7
•プログラム可能なCRCは潜伏を読んだ:2-3
•プログラム可能なCRCは潜伏を書く:8-14
•司令官のためのプログラム可能なEDCの把握パターン
•前充満:各々の破烈させたアクセスのための自動選択
•自動車は新たになり、自己によってはモードが新たになる
•周期を新たになりなさい:16,384 cycles/32ms
•インターフェイス:擬似開いた下水管（POD-15）の多用性がある出力:プルダウン式40Ω 60Ω懸垂
•オン ダイスの終了（ODT）:60Ωか120Ω （NOM）
•外的な抵抗器ZQピンとのODTそして出力運転者の強さの自動口径測定:120Ω
•プログラム可能な終了および運転者の強さのオフセット
•データ入力のための選択可能で外的なか内部VREF;内部VREFのためのプログラム可能なオフセット
•住所/命令入力のための別の外的なVREF
•TC = 0°Cへの+95°C
•EDCピンとのパワーアップで置かれるx32/x16モード構成
•データ、住所および命令のための片端接地インターフェイス
•四分の一差動クロックの入力CK_t、住所および命令のためのCK_cをデータ転送速度
•2半分のデータ転送速度の差動クロックの入力、WCK_tおよびWCK_c、2つのデータ バイト（DQ、DBI_n、EDC）と関連付けられるそれぞれ
•DDRデータ（WCK）および演説（CK）
•SDR命令（CK）
•書きなさい住所バス（単一の二重バイトのマスク）によってデータ マスク機能を
•データ・バス逆転（DBI）および住所バス逆転（ABI）
•入出力PLLオン/オフ モード
•データ時計（WCK）のための使用率の校正者（DCC）
•デジタルRAS閉鎖
| ドラム | |
| SGRAM - GDDR5 | |
| SMD/SMT | |
| FBGA-170 | |
| 32ビット | |
| 128のM X 32 | |
| 4 Gbit | |
| 1.75 GHz | |
| 1.648 V | |
| 1.3095 V | |
| 0 C | |
| + 95 C | |
| EDW | |
| 巻き枠 | |
| テープを切りなさい | |
| MouseReel | |
| ブランド: | 在庫の原物 |
| 製品タイプ: | ドラム |
| 工場パックの量: | 2000年 |
| 下位範疇: | 記憶及びデータ記憶 |
