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MT61K256M32JE-14:元のドラムGDDR6 8G 256MX32 FBGAの記憶データ記憶
特徴
•VDD = VDDQ = 1.35V ±3%、1.25V ±3%、および1.20V – 2%/+3%
•VPP = 1.8V – 3%/+6%
•データ転送速度:12 Gb/s、14 Gb/s、16 Gb/s
•2つの別々の独立したチャネル（x16）
•調整で置かれるx16/x8および2-channel/pseudoチャネル（PC）モード構成
•指令アドレス（カリフォルニア）およびデータのためのチャネルごとの単一の終えられたインターフェイス
•2つのチャネルごとのカリフォルニアのための差動クロックの入力CK_t/CK_c
•1台の差動クロックの入力 データ（DQ、DBI_n、EDC）のためのチャネルごとのWCK_t/WCK_cを
•二重データ転送速度（DDR）命令/住所（CK）
•クォードのデータ転送速度（QDR）および動作周波数による二重データ転送速度（DDR）データ（WCK）、
•配列の読書ごとの256ビットとの16n先取りの建築またはライト・アクセスを
•16の内部銀行
•tCCDL = 3tCKおよび4tCKのための4人の銀行団
•プログラム可能な読まれた潜伏
•プログラム可能潜伏を書きなさい
•単一および二重バイトのマスクの粒度のカリフォルニア バスでデータ マスク機能を書きなさい
•データ・バス逆転（DBI）およびカリフォルニア バス逆転（CABI）
•入出力PLL
•カリフォルニア バス訓練:DQ/DBI_n/EDC信号によるカリフォルニアの入力監視
•EDC信号による段階情報のWCK2CKの時計の訓練
•データは読まれた先入れ先出し法（深さ= 6）によって訓練を読み、書く
•巡回冗長検査によって保証される読み書きデータ伝送の完全性
•プログラム可能なCRCは潜伏を読んだ
•プログラム可能なCRCは潜伏を書く
•司令官のためのプログラム可能なEDCの把握パターン
•EDCピンのRDQSモード
| ドラム | |
| RoHS: | 細部 |
| SGRAM - GDDR6 | |
| SMD/SMT | |
| FBGA-180 | |
| 32ビット | |
| 256のM X 32 | |
| 8 Gbit | |
| 1.75 GHz | |
| 1.3905 V | |
| 1.3095 V | |
| 0 C | |
| + 95 C | |
| MT61K | |
| 皿 | |
| ブランド: | 在庫の原物 |
| 敏感な湿気: | はい |
| 製品タイプ: | ドラム |
| 工場パックの量: | 1260 |
| 下位範疇: | 記憶及びデータ記憶 |
| 単位重量: | 0.194430 oz |