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トランジスタ番号

1 - 20 の結果 トランジスタ番号 から 109 製品

WSF28N06電界効果トランジスタICはNチャネルMOSFETの金属酸化物を欠く 記述 WSF28N06は60ボルトの最高の電圧評価および28アンペアの現在の評価のN-Channel MOSFET (金属酸化物半導体のField-Effectのトランジスター)のための部品番号である.........

Time : Mar,24,2026
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TIP120 Npn 高周波トリオードトランジスタ MOSFET Nチャネルトランジスタ 150V 104A TO220AB TIP120 製品パラメータ 製造者: スタンダード パッケージ: トューブ 製品カテゴリー: MOSFET ブランド: 標準.........

Time : Jun,22,2025
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AD8361ARMZ-REEL7 RF力トランジスター高性能の低雑音の50オーム入出力インピーダンス プロダクト リスト: AD8361ARMZ-REEL7 RF力トランジスター 製品タイプ:RF力トランジスター パッケージのタイプ:巻き枠 トランジスターの数:7 構成:片端接地.........

Time : Nov,30,2024
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6DI30A-120 NPN PNPのトランジスター30A、1200V、6は、NPN、Siの力トランジスター運びます 電気特徴 現在最高コレクター(IC) 30A 電圧最高コレクター エミッター 1200V 構成 複雑 DCの現在の利益分(hFE) 70A タイム最高落下(tf) 3000 JESD......

Time : Nov,20,2020
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AO3400 SOT-23 mosfet力トランジスターNPN MOSFET A09T nチャネルのトランジスター 特徴: 型式番号:AO3400 タイプ:MOSFET パッケージのタイプ:表面の台紙 製品名:AO3400 他の名前:AO3400A 印が付いていること:A09T.........

Time : Mar,28,2026
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RD06HVF1 RF POWER MOSFET Silicon Transistor 175MHz 6W 増幅器アプリケーション向け RD06HVF1の説明 RD06HVF1 は、VHF RF パワーアンプ アプリケーション向けに特別に設計された MOS FET タイプのトランジスタです。 ......

Time : Nov,03,2023
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AP10H06S NチャネルMosの電界効果トランジスタの高周波 NチャネルMosの電界効果トランジスタのタイプ 力のMOSFETsの全面的な競技場の中では、異なった製造業者によって開発され、演説されたいくつかの特定の技術があります。彼らは力のMOSFETsが流れを運び、パワー レベ.........

Time : May,30,2024
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MC14060BDR2G カウンタ シフト レジスタ 3-18V 14 ステージ バイナリ チップ ダイオード トランジスタ 製品説明 カウンタシフトレジスタ 3-18V 14-Stage Binary 製品特性 .........

Time : Nov,26,2024
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VOS617A-4T オプチオイソレータートランジスタ出力 3750Vrms 1チャンネル 4-SSOP 製造者: ヴィシェイ 製品カテゴリー: トランジスタ出力オプトカップラー RoHS について 詳細 マウントスタイル: SMD/SMT パッケージ/ケース: SSOP.........

Time : Mar,03,2026
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TO-92はプラスチック内部に閉じ込めるトランジスター2N5401トランジスター(PNP)を 特徴 高圧のŸの切換えそして拡大 電話のようなŸの適用 Ÿの低い流れ Ÿの高圧 発注情報 部品番号 パッケージ.........

Time : May,30,2024
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DTC123YUA ROHMの半導体のトランジスター デジタルBJT NPN 50V 100mA 200mW 3 Pin DTC123YUAT106 DTC123YUAシリーズ50ボルト100 mAの表面の台紙NPNデジタルのトランジスター- SC-70 関連製品数:.........

Time : Feb,10,2026
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40デジタル トランジスター入力/出力(PNP)が付いているNX1P2-1140DT1 Omron Sysmac NX1P CPU 1.5 MBの記憶 記述Omron NX1P2-1140-DT1の記述。CPU;40の作り付け入力/出力ポイント;8本の最高の斧;4本の動作制御の斧;PN.........

Time : Nov,06,2025
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電界効果トランジスタの破片の分離した半導体回路の保護IPD060N03LGATMA1 製品範囲 OptiMOSª3か。パワー トランジスター、MOSFET N-CH 30V 50A TO-252 基本データ 製品特質 属性値 製造業.........

Time : Aug,27,2025
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プロダクト細部 包装大きさ部分の状態時代遅れトランジスター タイプNPN現在-コレクター((最高) IC)800mA電圧-コレクターのエミッターの故障(最高)30VVceの飽和(最高) @ Ib、IC1.6V @ 50mA、500mADCの現在の利益(hFE) (分) @ IC、Vce100 @ 1......

Time : Dec,02,2024
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NPN PNPのトランジスター テキサス・インスツルメント/TI LM5109BQNGTTQ1 ECADモジュール PCB記号、足跡及び3Dモデル 公開市場の擬似脅威 34のpct。 需要と供給の状態 限ら.........

Time : May,29,2024
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トランジスターNチャネルMOSのトランジスターIMBG65R039M1HXTMA1新しい部品MOSFETのトランジスター 製品の説明 実質の6入力参照用テーブル(LUTs) LUT内の記憶機能 記録およびシフト レジスタの機能性 製品仕様書.........

Time : Dec,09,2024
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Time : Dec,03,2019
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トランジスターSCT055HU65G3AG HU3PAK自動車等級SIC力MOSFETのトランジスター SCT055HU65G3AGの製品の説明 SCT055HU65G3AGは自動車等級の炭化ケイ素力MOSFETのトランジスター、650Vの58mΩタイプ。、HU3PAKのパッケージの30A.........

Time : Apr,21,2025
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FCB36N60NTM MOSFETのトランジスター分離した半導体の原物 製品特質 属性値 製品カテゴリ: MOSFET 技術: Si 様式の取付け: SMD/SMT......

Time : Dec,09,2024
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