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NPN PNPのトランジスター テキサス・インスツルメント/TI LM5109BQNGTTQ1
| ECADモジュール | PCB記号、足跡及び3Dモデル |
| 公開市場の擬似脅威 | 34のpct。 |
| 需要と供給の状態 | 限られた |
| 人気 | 媒体 |
| 製造業者ホームページ | www.ti.com |
| 勝利源の部品番号 | 1200388-LM5109BQNGTTQ1 |
| MSLのレベル | 1 （無制限） |
| 製造業者のパックの量 | 1 |
| 家族の部品番号 | LM5109 |
| 製造者装置パッケージ | 8-WSON （4x4） |
| 製造業者のパッケージ | 8-WFDFNはパッドを露出した |
| 様式の取付け | SMD |
| 温度較差-作動する | -40°C | 125°C |
| 上昇/落下の時間 | 15ns、15ns |
| 最高高い側面の電圧- （ブートストラップ） | 108V |
| 入れられたタイプ | 非逆になること |
| 現在-ピーク出力（源、流し） | 1A、1A |
| 論理の電圧- VIL、VIH | 0.8V、2.2V |
| 供給電圧（v） | 8V | 14V |
| ゲートのタイプ | N-Channel MOSFET |
| 運転者の数 | 2 |
| チャネル タイプ | 独立した |
| 運転された構成 | 半橋 |
| 包装 | 巻き枠 |
| 製造業者 | テキサス・インスツルメント |
| 部門 | 集積回路 |
LM5109B-Q1は同期木びき台または半分橋構成の高側そして低側のN-ChannelのMOSFETsを両方運転するように設計されている費用効果が大きい、高圧ゲートの運転者である。浮遊高側の運転者は柵の電圧90までV.を使用することができる。出力はTTL/CMOSの多用性がある論理の入力境界と独立制御。強く水平な転位の技術は操作量の論理から高側のゲートの運転者への高速で作動し低い電力を消費して間、きれいで水平な転移を提供する。不足電圧閉鎖は低側および高側の力の柵両方で提供される。装置は熱的に高められたWSONで利用できる（8）パッケージ。