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to220 package transistor

1 - 20 の結果 to220 package transistor から 107 製品

スイッチのためのTIP42C PNP 100V 6A TO-220力トランジスターMOSFETのトランジスターは巡回します TIP41C TIP42C 記述 この装置を線形音声、力および切換えの適用のために適したようにするTIP41CはTO-220プラスチック パッケー.........

Time : Jun,12,2024
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グレーアルミナ-ナトリド-セラミックパーツ 屈曲強度 ≥330MPa 高アルンセラミック基板 TO220パッケージ 製品説明: アルミナイトリドセラミック - 製品概要 TO-220パッケージは,電力半導体向けに設計された"パワーパッケージ"であり,表面マウント技術型のパッケージではなく透孔設計........

Time : Jun,27,2025
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スイッチ回路のためのTIP42C PNP 100V 6A TO-220力トランジスターMOSFETのトランジスター TIP41C TIP42C 記述 この装置を可聴周波のために適したようにするTIP41CはTO-220プラスチック パッケージ、力の線形および転換の適用の.........

Time : Dec,01,2024
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製品パラメータ 製造者:スタンダードパッケージ:トューブ製品カテゴリー:MOSFETブランド:標準RoHS について詳細構成:シングルテクノロジーそうだ秋の時間77 nsマウントスタイル:穴を抜ける高さ:16.3mmパッケージ/ケース:TO-220-3長さ:10.67mmトランジスタの偏性:N.........

Time : Jun,22,2025
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集積回路の破片MSC360SMA120 1200V 360mOhm TO-247のパッケージのトランジスター MSC360SMA120の製品の説明 MSC360SMA120は釣り合ったサージ電流、前方電圧、熱抵抗およびより低い転換の損失のために現在の低い逆で熱キャパシタンス評価.........

Time : Apr,21,2025
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1G MOSFETのパワー エレクトロニクス前のNTR 5198 TO-236-3パッケージのトランジスター高性能の適用 FETのタイプ N-Channel......

Time : Nov,30,2024
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SPP04N60C3、SPB04N60C3最終的なデータSPA04N60C3 涼しいMOSô力トランジスター VDS @ Tのjmax650VRDS()0.95ΩID4.5A特徴•新しい革命的な高圧技術•超低いゲート充満•評価される周期的ななだれ•評価される極度なdv/dt•最も高いピークの流れの.......

Time : May,30,2024
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BTS282Z E3230 TO220-7のN-Channel MOSFET 49V 80AのトランジスターFETs インフィニオン・テクノロジーズからのBTS282ZE3230AKSA2力MOSFET。その最高の電力損失は300000 MWである。 部品を保障するためにはバルク包装によっ.........

Time : Jun,21,2025
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製品の説明 BTS282Z E3230 TO220-7のN-Channel MOSFET 49V 80AのトランジスターFETs インフィニオン・テクノロジーズからのBTS282ZE3230AKSA2力MOSFET。その最高の電力損失は300000 MWである。 部品を保障するため.........

Time : Dec,09,2024
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TIP41CG製品に関する情報モデル:TIP41CGブランド:onsemi (Ansemi)パッケージ:TO220バッチ番号:21+/22+記述:NPNのトランジスター、6 A、Vce=100 V、HFE:15、3つのMHzの3ピンTO-220パッケージ.........

Time : Nov,28,2024
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Time : Sep,17,2023
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製品の説明プロダクト細部 包装 管 部分の状態活動的トランジスター タイプNPN -ダーリントン現在-コレクター((最高) IC)10A電圧-コレクターのエミッターの故障(最高)100VVceの飽和(最高) @ Ib、IC3V @ 40mA、10A現在-コレクターの締切り(最高)2mADCの現在........

Time : Dec,02,2024
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MUR1620CTRGの超高速の整流器16アンペア元のTO220の200ボルト これらのstate−of−the−art装置は陰性の使用のために設計されている 転換の電源、自由な回転ダイオードとしてインバーターおよび。 また、共通の陰極の二重超高速の整流器と共に使用されて、 単一.........

Time : May,30,2024
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PTA20N50A PTA20N50 20A 500V TO220 MOSFETのN-Channel 部門 トランジスター- MOSFET データ用紙 PTA20N50A/ピップ...

Time : Dec,01,2024
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IPP65R110CFDAのN-Channel 650 V 31.2A (穴PG-TO220-3を通したTc) 277.8W (Tc) 特徴: 部門 単一のFETs、MOSFETs Mfr インフィニオン・テクノロジーズ シリーズ 、AEC-Q101、CoolMOS自動車 プロダクト状態 活動的 ......

Time : Aug,07,2023
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2SC1971 C1971 TO220 NPNのエピタキシアル平面のタイプ トランジスターはRFの電力増幅器のために設計しました 記述: ケイ素NPNのエピタキシアル平面のタイプ トランジスターはVHFバンド移動式無線の塗布のRFの電力増幅器のために設計しました。 在庫の他の電子部品のリスト ......

Time : Nov,03,2023
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220トランジスター形作り、打抜き機へのRS-920A イントロ: RS-920AはTO220、92、126、等のための機械を形作る自動トランジスター鉛である。 それは管でいっぱいのトランジスターのために働く。この機械は90度を曲げるのため特にであり、中間の鉛を前部押す。 .........

Time : Aug,22,2024
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JUC-31Fの熱保護装置スイッチ、TO220温度スイッチ JUC-31Fのサーモスタットの主義および構造 プロダクトは、国際規格のパッケージの採用のセンサー接触タイプのプラスチック急な温度のサーモスタットに所属、プロダクト持っている小型、等取付けること非常に軽量容易な高い信頼性を、敏感.........

Time : Nov,26,2024
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TO220厚いフィルム力の抵抗器、脱熱器、20W-50W、0.5%の1%の許容 特徴: 25°C場合温度脱熱器の35ワットは取付けた。 Rthの脱熱器への低い熱抵抗 < 4=""> TO-220様式力のパッケージ、誘導孤立した症例、非。 脱熱器への単一ねじ土台。保護のための形成さ.........

Time : Nov,23,2024
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