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1G MOSFETのパワー エレクトロニクス前のNTR 5198
TO-236-3パッケージのトランジスター高性能の適用
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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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4.5V、10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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155mOhm @ 1A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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2.5V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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2.8 NC @ 4.5ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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182 pF @ 25ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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900mW （Ta）
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実用温度
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-55°C | 150°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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SOT-23-3 （TO-236）
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パッケージ/場合
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1G MOSFETのパワー エレクトロニクス前のこのNTR 5198は3-ピンTO-236-3パッケージである。それは低電圧で作動している間高性能および低いオン抵抗を提供する。それは電源スイッチ、モーター運転者およびソレノイドの運転者のような適用のために適している。この装置にシステムに保護の高レベルを提供する30ボルトの高い絶縁破壊電圧がある。それにまた減らされた伝導の損失および改善された転換の性能のための最大限に活用されたゲート充満がある。装置は低電圧の転換の適用のために最大限に活用されるN-channel MOSFETである。それは迎合的なRoHS、無鉛パッケージで提供される。この装置は高周波切換えにとって理想的で、頻度で10までのMHzを作動できる。
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