BTS282Z E3230 TO220-7 NチャネルMOSFET 49V 80AのトランジスターFETs
型式番号:BTS282Z E3230
最低順序量:1部分
支払の言葉:T/T
受渡し時間:2~8仕事日
ブランド:インフィニオン・テクノロジーズ/国際的な整流器IOR
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Guangzhou Guangdong China
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Room 2201-03, Room 2206, Changfeng International 1, No. 96, Lixin No. 12 Road, Zengcheng District, Guangzhou City, Guangdong province
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内 47 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
製品の説明
BTS282Z E3230 TO220-7のN-Channel MOSFET 49V 80AのトランジスターFETs
インフィニオン・テクノロジーズからのBTS282ZE3230AKSA2力MOSFET。その最高の電力損失は300000 MWである。
部品を保障するためにはバルク包装によって、このプロダクト入って来多くをやや加えるために包む管傷つけられない
外の管で緩い部品を貯えることによる保護。
このMOSFETのトランジスターは-40 °Cから175 °C.の実用温度範囲を備えている。
このNチャネルMOSFETのトランジスターは強化モードで作動する。
指定:
部門 | 分離した半導体製品 |
単一トランジスター- FETs、MOSFETs - | |
Mfr | インフィニオン・テクノロジーズ |
シリーズ | TEMPFET® |
パッケージ | 管 |
部分の状態 | 時代遅れ |
FETのタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET （金属酸化物） |
流出させなさいに源の電圧（Vdss） | 49ボルト |
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | 80A （Tc） |
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 4.5V、10V |
（最高） @ ID、VgsのRds | 6.5mOhm @ 36A、10V |
Vgs （（最高） Th） @ ID | 2V @ 240µA |
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 232 NC @ 10ボルト |
Vgs （最高） | ±20V |
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 4800 pF @ 25ボルト |
FETの特徴 | ダイオードを感じる温度 |
電力損失（最高） | 300W （Tc） |
実用温度 | -40°C | 175°C （TJ） |
タイプの取付け | 穴を通して |
製造者装置パッケージ | P-TO220-7-230 |
パッケージ/場合 | TO-220-7 |
環境及び輸出分類
| 属性 | 記述 |
|---|---|
| RoHSの状態 | 迎合的なROHS3 |
| 湿気感受性のレベル（MSL） | 1 （無制限） |
| 範囲の状態 | 変化しないに達しなさい |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| 部品番号 | BTS282Z E3230 |
| 基礎部品番号 | BTS282Z |
| EU RoHS | 免除と迎合的 |
| ECCN （米国） | EAR99 |
| 部分の状態 | 活動的 |
| HTS | 8541.29.00.95 |
BTS282Z E3230 TO220-7 NチャネルMOSFET 49V 80AのトランジスターFETs
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