PTA20N50A PTA20N50 20A 500V TO220 MOSFETのN-Channel 部門 トランジスター- MOSFET データ用紙 PTA20N50A/ピップ...
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BTS282Z E3230 TO220-7のN-Channel MOSFET 49V 80AのトランジスターFETs インフィニオン・テクノロジーズからのBTS282ZE3230AKSA2力MOSFET。その最高の電力損失は300000 MWである。 部品を保障するためにはバルク包装によっ.........
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製品の説明 BTS282Z E3230 TO220-7のN-Channel MOSFET 49V 80AのトランジスターFETs インフィニオン・テクノロジーズからのBTS282ZE3230AKSA2力MOSFET。その最高の電力損失は300000 MWである。 部品を保障するため.........
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IPP65R110CFDAのN-Channel 650 V 31.2A (穴PG-TO220-3を通したTc) 277.8W (Tc) 特徴:IPP65R110CFDA 部門 単一のFETs、MOSFETs Mfr インフィニオン・テクノロジーズ シリーズ 、AEC-Q101、CoolMOS自動車 ......
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BLDCモーター運転者のためのJY15M Nチャネル40Vの強化モード力MOSFET 概説JY15Mは高い細胞を達成するのに最も最近の堀の加工の技巧を利用します密度は高く反復的ななだれの評価の‐の抵抗を減らし。これら特徴はこの設計に非常に有効な、信頼できる装置をのためのするために結合し.........
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MOSFETトランジスタTIP122ダーリントンNPN 100V 5A 2000mW TO220パワートランジスタ TIP120、TIP121、TIP122 TIP125、TIP126、TIP127 説明 デバイスは、「ベースアイランド」レイアウトとモノリシックダーリントン構成の平.........
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製品の説明プロダクト細部 包装 管 部分の状態活動的FETのタイプP-Channel技術MOSFET (金属酸化物)流出させなさいに源の電圧(Vdss)100V現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C23A (Tc)ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds)10V(最高) @ ID、VgsのRds........
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TOP256YN ICオフ・ラインSWのフライバックTO220-7C力の統合 プロダクト細部 記述TOPSwitch-HXは効率よく単一装置に700ボルト力MOSFET、高圧転換された現在の源、PWM制御、発振器、熱操業停止回路、欠陥の保護および他の制御回路部品を組み込む。.........
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SPP04N60C3、SPB04N60C3最終的なデータSPA04N60C3 涼しいMOSô力トランジスター VDS @ Tjmax 650 V RDS () 0.95 Ω ID 4.5...
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製品パラメータ メーカー:標準パッケージ:チューブ製品カテゴリ:MOSFETブランド:標準RoHS:詳細構成:シングルテクノロジー:Siフォールタイム:77 ns取り付けスタイル:スルーホー.........
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N-Channel 60 V 80A (穴PG-TO220-3を通したTc) 115W (Tc)...
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