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プロダクト細部
包装 | 管 |
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部分の状態 | 活動的 |
FETのタイプ | P-Channel |
技術 | MOSFET (金属酸化物) |
流出させなさいに源の電圧(Vdss) | 100V |
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C | 23A (Tc) |
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) | 10V |
(最高) @ ID、VgsのRds | 117mOhm @ 11A、10V |
Vgs ((最高) Th) @ ID | 4V @ 250µA |
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs | 97nC @ 10V |
Vgs (最高) | ±20V |
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V |
FETの特徴 | - |
電力損失(最高) | 140W (Tc) |
実用温度 | -55°C | 150°C (TJ) |
タイプの取付け | 穴を通して |
製造者装置パッケージ | TO-220AB |
パッケージ/場合 | TO-220-3 |
1. 標準的な、順序の商品か製造の歓迎。
2. サンプル順序。
3. 私達は24時間以内にあなたの照会のための答える。
4. 発送の後で、私達は2日毎にプロダクトを得るまで、あなたのためのプロダクトを一度追跡する。
5. 商品を得たときに、テストはそれら、私にフィードバックを与え。問題があれば