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プロダクト細部
| 包装 | 管 |
|---|---|
| 部分の状態 | 活動的 |
| FETのタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (金属酸化物) |
| 流出させなさいに源の電圧(Vdss) | 100V |
| 現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C | 23A (Tc) |
| ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) | 10V |
| (最高) @ ID、VgsのRds | 117mOhm @ 11A、10V |
| Vgs ((最高) Th) @ ID | 4V @ 250µA |
| ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs | 97nC @ 10V |
| Vgs (最高) | ±20V |
| 入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| FETの特徴 | - |
| 電力損失(最高) | 140W (Tc) |
| 実用温度 | -55°C | 150°C (TJ) |
| タイプの取付け | 穴を通して |
| 製造者装置パッケージ | TO-220AB |
| パッケージ/場合 | TO-220-3 |
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5. 商品を得たときに、テストはそれら、私にフィードバックを与え。問題があれば