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GT20J301:Nチャネル(高い発電の切換えの運動制御の適用)東芝 東芝はゲートの両極トランジスター ケイ素NチャネルIGBTを絶縁した 高い発電の転換の適用運動制御の適用 ●第3生成●強化モード●高速。:tf=0.30pμs (最高。)●低い飽和電圧:VCE (坐った) =2.........
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G40N60UFDダイオード600V 40A 160W、TO-3Pで造られるを用いる超高速IGBTのトランジスターNチャネル 記述: フェアチャイルドのUFDの一連のInsulatedゲートの両極トランジスター(IGBTs)は低い伝導および切換えの損失を提供します。UFDシリーズは運動制御.........
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STGW20NC60VD N-CHANNEL 30A - 600V TO-247まさに速いPowerMESH™ IGBT 概要の特徴 タイプ VCES VCE (坐る) (最高の) @25°C IC @100°C STG......
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