SIR466DP-T1-GE3 MOSFETのパワーエレクトロニクスの高性能の低いVceの（坐った）高性能の切換え

型式番号:SIR466DP-T1-GE3

原産地:原物

最低順序量:1

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SIR466DP-T1-GE3 MOSFETのパワーエレクトロニクスの高性能の低いVceの（坐った）高性能の切換え

記述:SIR466DP-T1-GE3 MOSFETは広い応用範囲の最高の効率を提供するように設計されている高圧N-channel MOSFETである。それは4.0オームの低いオン抵抗、8.7 NCの低いゲート充満、および30Aの高い現在の処理の機能を特色にする。広いボディパッケージは改善された熱性能および信頼性を提供する。

特徴:
- 低いオン抵抗:4.0オーム
- 低いゲート充満:8.7 NC
- 高い現在の処理:30A
- 改善された熱性能および信頼性のための広いボディパッケージ

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