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東芝はゲートの両極トランジスター ケイ素NチャネルIGBTを絶縁しました
GT30J121
高い発電の切換えの適用
速い切換えの適用
•第4生成
•強化モード
•速い転換の(FS):
動作周波数50までのkHz (参照)
高速:tf = 0.05のµs (typ。)
低い切換えの損失:永劫= 1.00のmJ (typ。)
:Eoff = 0.80 mJ (typ。)
•低い飽和電圧:VCE (坐る) = 2.0ボルト(typ。)
最高の評価(Ta = 25°C)
特徴 | 記号 | 評価 | 単位 |
コレクター エミッターの電圧 | VCES | 600 | V |
ゲート エミッターの電圧 | VGES | ±20 | V |
コレクターの電力損失(Tc = 25°C) | PC | 170 | W |
接合部温度 | Tj | 150 | °C |
保管温度の範囲 | Tのstg | 150への−55 | °C |
切換えの時間測定回路および入出力波形