NTF3055L108T1G力MOSFET 3.0 A、60ボルト線形力mosfetの堀力mosfet 特徴 •Pb−Freeのパッケージは利用できます 適用 •電源 •コンバーター •力の運動制御 •ブリッジ・サーキット .........
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NLASB3157MTR2G Chipscomponentの電子部品ICの破片 NLASB3157MTR2G 高い発電MOSFETの電子破片真新しい元のWDFN-6 1つの回路ICスイッチ2:1 7のオーム6-WDFN （1.2x1） 部門 集積回路.........
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力MosfetのトランジスターAutoprotected VND3NV0413TRをショートさせなさい 特徴 タイプ RDS （） Ilim Vclamp VNN3NV04 VNS3NV04 VN...
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集積回路の破片SCTWA60N120G2-4の炭化ケイ素力MOSFETのトランジスター SCTWA60N120G2-4の製品の説明 SCTWA60N120G2-4 N-Channel力MOSFETはMDmesh最終的なK6の技術を使用して設計されている非常に高圧N-channe.........
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力MOSFETのオリジナルの集積回路IPT020N10N5ATMA1 製品の説明 必要なより少ない平行になること 増加された出力密度 減らされた転換および伝導の損失 製品仕様書 部品番号: IPT020N10N5ATMA.........
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IRF6215STRLPBF MOSFET パワーエレクトロニクス 製品説明： IRF6215STRLPBF は、さまざまなアプリケーションで優れた性能と信頼性を提供するパワー MOSFET です。この MOSFET は、低い入力容量と速いスイッチング速度を特徴と.........
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TC4426 TC4427TC4428マイクロチップ1.5Aデュアル反転パワーMOSFETドライバ集積回路ICPMIC TC4426 TC4427TC4428マイクロチップ1.5Aデュアル反転パワーMOSFETドライバ集積回路ICTC4426EOA713 TC44.........
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BTN7970Bモーター運転者8V-18V力MOSFETの平行PG-TO263-7 モーター タイプ- AC、DC ブラシをかけられたDC 機能 運転者-十分に統合された、制御および力の段階 出力環境設定 半分橋 インターフェイス 平行 技術 力MOSFET ステップ決断 - 適用 一般目的 現在-......
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2N60-TC3力MOSFET 2A、600V Nチャネル力MOSFET 記述 UTC 2N60-TC3は高圧力MOSFET、速い切換えの時間、低いゲート充満の低いオン州の抵抗のようなよりよい特徴を、持つようにそして高く険しいなだれの特徴を持つように設計されています。この力MOSFETは通.........
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DRV632PW DRV8814PWP DRV8825PWP DRV8848PWP ICの集積回路モーター運転者力MOSFET より多くの在庫 Mornsun LO45-10B24 Mornsun LM350-10B...
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高い発電MOSFET FDI045N10AのN-ChannelのPowerTrenchの® MOSFET 100V、164A、4.5mΩ 高い発電MOSFET FDI045N10AのN-ChannelのPowerTrenchの® MOSFET 100V、164A、4.5mΩ [だれ私達があ.........
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MOSFETのN-channel 1050 Vの6オームのタイプ1.5 DPAKのパッケージのMDmesh K5力MOSFET 製品特質 属性値 選り抜き属性 製造業者: STMicroelectronics......
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限られる優秀な総合システムは（限られるEIS） NTHD3100CT1Gの専門のストッキングのディストリビューター-オン・セミコンダクター-動力を与えますMOSFET 20 V、+3.9 A/−4.4 A、.........
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IRFP460LC力MOSFET -あなたの電子工学の必要性のための高性能解決IRFP460LC力MOSFETの購入の賛否両論 あなたの電子デバイスに動力を与えるために強力のおよび信頼できるトランジスター捜せばIRFP460LC力MOSFETはかもしれないちょうどである必要とするかもの。この.........
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