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3 年
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IRF6215STRLPBF MOSFET パワーエレクトロニクス
製品説明：
IRF6215STRLPBF は、さまざまなアプリケーションで優れた性能と信頼性を提供するパワー MOSFET です。この MOSFET は、低い入力容量と速いスイッチング速度を特徴としており、大電流、高周波電源回路に最適です。このデバイスは、0.02 オームの低いドレイン-ソース オン抵抗と、電力効率を向上させるための低いゲート電荷も特徴としています。高性能でコンパクトな設計を備えた IRF6215STRLPBF は、パワー エレクトロニクス アプリケーションに最適です。
特徴：
• 低い入力容量
• 高速スイッチング速度
• 0.02オームの低いドレイン・ソース間オン抵抗
• ゲート電荷が低いため、電力効率が向上します。
・高性能、コンパクト設計
• パワーエレクトロニクス用途に最適
パッケージは以下を含みます：
• 1 x IRF6215STRLPBF MOSFET パワーエレクトロニクス
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製品の状態
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新しいデザインは不可
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FETタイプ
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テクノロジー
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MOSFET (金属酸化物)
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ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
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電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
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駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
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10V
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Rds オン (最大) @ Id、Vgs
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290ミリオーム @ 6.6A、10V
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Vgs(th) (最大) @ ID
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4V @ 250μA
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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66nC@10V
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Vgs (最大)
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±20V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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860 pF @ 25 V
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FETの特徴
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-
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消費電力(最大)
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3.8W(Ta)、110W(Tc)
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動作温度
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-55℃～175℃(TJ)
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取付タイプ
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サプライヤーデバイスパッケージ
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D2PAK
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パッケージ・ケース
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基本製品番号
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