オキシド半導体

光学級精密加工 セリウムオキシド 磨き液 セリウムオキシドの磨き液は,マイクロメートルのセリウムオキシド (CeO) から作られた精密磨き用品です.2効率的で低損失を収めるため,半導体などの高級製造業に広く使用されています光学ガラス,精密セラミックス [適用する] .........

RoHSの証明書が付いている金属酸化膜半導体の電界効果トランジスタ 金属酸化膜半導体の電界効果トランジスタの特徴 低いゲート充満 低いRdson （典型的な5.5mΩ） 速い切換え テストされる100%のなだれ 改善されたdv/dtの機能 RoHSプロダクト テストされ.........

製品説明: ガスセンサは40秒未満の 急速な再起動時間があり 高濃度のガスにさらされた後にすぐに回復できますこの機能は,センサーがガスレベルを正確に検出し,リアルタイムモニタリングを提供できるようにするために不可欠ですこのガスセンサー製品は,100±10mAの稼働電流で,頻繁な保守や交換を必要と........

金属酸化膜半導体Mosfet力トランジスター高く険しいなだれ Mosfet力トランジスター記述 -30V/-60AR DS （） = 4.8mΩ （typ。）@V GS =-10VR DS （） = 6.8mΩ （typ。）@V GS =-4.5V信頼でき、険しい利用できるハロゲン.........

製品名:PD57018-E 製造業者:STMicroelectronics 製品カテゴリ:RFの金属酸化膜半導体分野効果（RF MOSFET）のトランジスター トランジスター極性:N-Channel 技術:Si.........

製品説明 製品種類:フィールド効果トランジスタ MOSFET nチャネルモデル番号:IRFR4615TRLPBFシリーズ:HEXFET販売者:インフィニオンパッケージ:TO-252-3スタイルをインストールする:表面マウントタイプ新品とオリジナル IRFR4615TRLPBFTO-252-3 フ........

超電圧止め機 MOV メタルオキシドバリストール 半導体D30×30 メタルオキシドバリストール MOVブロックは,主要材料として亜鉛酸化物から作られたセラミック半導体要素で,その抵抗値は,適用された電圧の変化に変化し,金属酸化物アレスターのコアコンポーネントです.その品質が直接 停止器の性能.........

半導体拡散と酸化処理のための高純度クォーツ拡散容器 高純度なクォーツボートで heat-resistant carrier used in semiconductor manufacturing to hold silicon wafers during crucial high-tempera........

半導体の部品、IEC60099-4 のためのサージの防止装置の動きの金属酸化物バリスター 速い細部: 1.Good 非はさみ金の専門 2.No 余分な流れ 3.Large 亜鉛めっき 4.Smart 応答 電圧、よい保護性能を締め金で止める.........

大吸収型 非線形 大サイズ 275V RMS 32mm MYL メタルオキシドバリストール MOV 32D431K 電圧依存レジスタル VDR 簡潔 な 紹介 ヴァリストールは,金属オキシド半導体部品の主な材料として,主に亜鉛酸化物から構成された非線形抵抗体です.そして,電圧アンペア特性.........

5D471K Piezoresistorの酸化亜鉛のバリスターP5mmバリスター05D471Kは一種の金属酸化膜半導体の主に酸化亜鉛で構成される非線形抵抗の要素である。抵抗器は電圧がある特定の価値に達するとき電圧に敏感で、すぐにつく。バリスターによい非線形特徴、大きい流れ、低い残り圧力レベル、速い.......

LPCVD酸化炉の要約 6インチ 8インチ 12インチ LPCVD酸化炉 均一薄膜堆積 LPCVD (低圧化学蒸気堆積) システムは半導体製造における重要な薄膜堆積装置として使用され,主にポリシリコン,シリコン酸塩,シリコン酸化フィルムこの技術の主要な利点は以下の通りである..........

高い純度の希土類酸化物の粉のスカンジウムの酸化物 スカンジウムの酸化物（Sc2O3） 方式:Sc2O3 相対的な分子量:138.2 特性:白い固体。希土類sesquioxideの立方構造を持っていること。2403 ℃±20 ℃の密度3.864の融点。熱い酸で溶ける水で不溶解性。.........

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MgO ウェーファー (111) (100) マグネシウムオキシド ポリッシュ モノクリスタル 半導体 カスタマイズMgOウエフルの説明:シングルクリスタル MgO ウェーバーは,半導体,超導体,介電,鉄電,鉄磁性酸化物MgO結晶は最小限の欠陥で美しく成長し,2インチ直径まで利用可能であり,高硬度材......

酸化亜鉛のバリスター05D 07D 10D 14D 20D ZOVのバリスターの電圧18V~820V 特徴および適用 バリスターは主要な原料として酸化亜鉛を使用する一種の半導体の陶磁器の部品である。抵抗の価値に応用電圧の非線形変更がある。それに小さい容積、大きい抵抗のサージ電流のよい.........

放射状の加鉛動きディスク5mm亜鉛金属酸化物バリスターVDR 05D471K 300VAC 385VDC ディスク5mm亜鉛金属酸化物バリスターVDR 05D471Kの定義 バリスターは過電圧のトランジェントから電気および電子デバイスを保護する2末端の半導体デバイスである。その.........

溶解性 水に溶けない 亜鉛酸化物 溶解点 1975°C 純度 ≥99.9% 高純度亜鉛酸化物 製品説明: 高純度亜鉛酸化物 (ZnO) は,高品質の無機化合物であり,電子,光電子,半導体などのハイテク分野で一般的に使用される.非常に高い純度 (通常99%以上) を達成するために精密な生産プロ.........