BS816A-1 Pチャネル強化モード DMOSトランジスタ RFトランジスタ 製造者: ダイオード 製品カテゴリー: Pチャネル強化 RoHS について 詳細 マウントスタイル: - パッケージ/ケース: 16NSOP パッケージ: スタンダード 単位重量: - オ.........
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AD9361BBCZ RF力トランジスター-高い発電の高い信頼性 AD9361BBCZは900のMHzの主義バンドの使用のために設計されている強力な、高性能のN-channel RF力トランジスターである。装置は広いゲートの電圧範囲および優秀な熱安定性を特色にする。それはRFの電力増幅器、細.........
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部分番号:BFP420H6327XTSA1 製品概要:についてBFP420H6327XTSA1高性能なNPN RFトランジスタこのコンポーネントは,低騒音値,高増幅,コンパクトパッケージでの高速性能を必要とするアプリケーションのために設計されています. 主要な特徴: タイプ: NPN RFトラ.........
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FLM0910-25F RF力トランジスターXバンド内部的に一致させたFET 記述 FLM0910-25Fはmatchedfor 50Ωsystemの最適力そして利益を提供する標準的なコミュニケーション バンド内部的にある力GaAs FETです 在庫の他の電子部品のリスト 部品番号 MFG......
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BFQ67W SOT-23の電子工学の集積回路の補足のケイ素NPN平面RFのトランジスター 特徴 •小さいフィードバック キャパシタンス •低雑音図 •高い転移の頻度 •鉛(Pb)のなしの部品 •RoHS 2002/95/ECおよびWEEE 2002/96/ECへの調和の部品.........
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ワイヤレス通信モジュール QPD0007 単経路 5GHz 20W 48V GaN RFトランジスタ [MJD優位性] 電子コンポーネントで15年以上の経験 + 安全な注文 + 優れたフィードバック 保証された配達日 +100%低価格保証 +108カ国に輸出 顧客満足度99.9%!! [.........
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TXtelsig YP242434 Wifi RFのアンプ2.4GHz 802.11b/g/n WLANの電力増幅器 YP242434はInGaP信頼性が高い/GaAs HBTの技術に基づく強力な、高直線性の電力増幅器である。それは極度のパワー加えられた効率と強力な、高直線性の適用のために2.4........
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SD1480 N/A電子部品集積回路 MCUのマイクロ制御回路集積回路SD1480 指定 項目 価値 D/C 新しい 条件...
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製品カテゴリ: 整流器 様式の取付け: 穴を通して パッケージ/場合: TO-220-3 Vr -逆電圧: 400ボルト -前方流れ: 6 A タイプ: 速......
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MPC750ARX266THの電子部品はプロセッサおよびマイクロ制御回路に含まれているMOTOROLAによって生産に持って来られる。各装置は小さいBGAのパッケージで利用でき、-40°Cへの105°C (TA)の延長温度較差に指定される。 部門 プ.........
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BFS505 NPN PNPのトランジスターRFトランジスターNPN 15V 18mA 9GHz 150mW表面の台紙 NPN 9つのGHzの広帯域のトランジスター 特徴 •低い消費電流 •高い発電の利益 •低雑音図 •高い転移の頻度 •金のメタライゼーションは保障します 優秀な信頼性 ......
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FMの移動式ラジオのための150-175MHZ RF力MOSFETのトランジスターM68702H 条件: 100%の真新しいプロダクト 部分の状態: 活動的 パッケージ: H2 無鉛状態/RoHSの状態: 迎合的.........
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BNC女性のジャックRG316 RFの同軸ピグテールのアンテナ ケーブルへのSMAの男性プラグ 良質コミュニケーションを保障するためにBNCの女性に良質RG316同軸ケーブルおよび全銅SMAの男性から成っている。 ルーターに、アンテナ、信号の増強物およびWLAN Wifiのアンテナ広く使用す......
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AFT05MS003NT1 MOSFETのトランジスターNチャネル500mV 30V RF力 AFT05MS003NT1、のRF MOSFETのトランジスター、N-Channel、- 500 mV、30ボルト、RF力MOSFET、1.8 MHzから941のMHz、20.8 dB、SOT-8.........
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