mosfet gate driver circuit design

MIC5021YM-TRのマイクロチップ ゲートの運転者の高速高いサイドMOSFETの運転者SOIC-8 MIC5021YM MIC5021YN 製造業者:マイクロチップ製品タイプ:ドアの運転者プロダクト:MOSFETのゲートの運転者タイプ:高側設置様式:SMD/SMTパッケージ.........

IR2156STRPBFの半導体の破片ICの高周波運転者およびMOSFETs 製品名:IR2156STRPBFの半導体ICの破片 製品の説明: IR2156STRPBFは高性能、半橋構成の1 N-channel MOSFETかIGBTを運転するように設計されている自己振動のゲートの.........

3.3V 4A IGBT MOSFETのゲートの運転者IC NCV57001FDWR2Gの巻き枠の包装 NCV57001FDWR2G [隔離された高い流れおよび高いE]ゲート ドライブIC SOIC-16 製造業者: onsemi 製品カ.........

LTC7004EMSE#TRPBF MOSFET ゲート ドライバ BCM88381CA1KFSBG 0402X104K100CT 電源管理 IC 説明 LTC®7004は、最大60Vの入力電圧で動作する高速ハイサイドNチャネルMOSFETゲート・ドライバです。外部 N チャネル.........

3-PHASE橋運転者IR2130/IR2132 （J）及び（PbF） 製品の説明 包装テープ及び巻き枠（TR） 部分の状態活動的運転された構成半橋チャネル タイプ3-Phase運転者の数6ゲートのタイプIGBT、N-Channel MOSFET電圧-供給10ボルト| 20ボルト論理の電圧- V........

FDMS86181 Mosfet力トランジスターMOSFET 100V/20V N-Chnl力の堀MOSFET 特徴 保護されたゲートMOSFETの技術 MaxrDS （） =4.2mΩat VGS =10V、ID =44A MaxrDS （） =12mΩat VGS =6.........

ISO5852SDW IC電子部品 隔離されたIGBT MOSFETゲートドライバ 製品説明 格付け値を超えた −40°Cから+105°Cの温度 部品番号ISO5852SDW製造されたものTI電子製品の主要販売業者の一つとして,私たちは世界のトップメーカーから多くの電子部品を運んでい.........

ゲートの運転者A4989SLDTR-Tの電子部品ICは集積回路を欠く 製品の説明 部品番号# A4989SLDTR-TはAllegro技術によって製造され、Jalixinによって配られる。電子プロダクトの一流のディストリビューターの1人として、私達は世界の上の製造業者からの多くの電子部品を運ぶ。........

1 製品の説明 項目...

ICの集積回路UCC5350MCDR SOIC-8はゲートの運転者を隔離した 製品の説明: UCC53x0はMOSFETsを、IGBTs運転するように、設計されている単一チャネルの、隔離されたゲートの運転者SiCのMOSFETsおよびGaNのFETs （UCC5350SBD）の系列である。.........

LF2136B 3-Phase半分橋ゲートの運転者の集積回路IC LF2136BTR （電子部品） 記述: LF2136BはN-channelを運転する高圧の、高速適用のために設計されている三相ゲートの運転者ICである半橋構成のMOSFETsそしてIGBTs。 高圧プロセスはLF2136Bの高.........

FAN73611MX ゲートドライバー 高速ゲートドライバー 製品属性 属性値 製造者: 一半 製品カテゴリー: ゲートドライバー RoHS について 詳細 製品: IGBT,MOSFETゲートドライバー タイプ: ハイサイド マウントスタイル: SMD/SMT.........

高速電源MOSFETとIGBTドライバ 3相高圧ゲートドライバ 記述 JY213Hは,3つの独立した高低サイド参照を持つ高速電力MOSFETとIGBTドライバーです 3相ゲートドライバの出力チャネル. UVLO回路は,VCCとVBSが指定された値を下回るときに不具.........

単一チャネルNSI6601MC-DSPRはゲートの運転者IC SOP8の集積回路の破片を隔離した NSI6601MC-DSPRの製品の説明 NSI6601MC-DSPRは多くの適用のIGBT、力MOSFETおよびSiC MOSFETを運転するために適した単一チャネルの分離のゲートの運転者である。別の......

TC4427EPAの低側のゲートの運転者IC非逆になる8-PDIP ICの電子部品 概説: TC4426/TC4427/TC4428はMOSFETの運転者のより早いTC426/TC427/TC428系列の改善された版です。TC4426/TC4427/TC4428装置はMOSFETのゲートを満たし、排......

記述: JY213Hは,3相ゲートドライバのための3つの独立した高低サイド参照出力チャネルを持つ高速電力MOSFETとIGBTドライバです.半ブリッジの故障を防止する内蔵デッドタイム保護とショットスルー保護UVLO回路は,VCCとVBSが指定された限界電圧を下回ると故障を防ぐ.600V高電圧プロ........

IRS2181STRPBF半橋ゲートの運転者IC非逆になる8-SOIC記述IRS2181/IRS21814は独立した高側および低側の参照された出力チャネルが付いている高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者である。専有HVICは免疫CMOSの技術の掛け金を降ろすために高耐久化された単一構造を......

JY213L 90Vの3つの独立した高低の側面が付いている三相ゲートの運転者は出力チャネルを参照した 記述 JY213Lは力MOSFETのための高速3-phaseゲートの運転者であり、3つの独立した高低の側面が付いているIGBT装置は出力チャネルを参照した。保護シュートによる作り付.........

IR2110PBF力MOSFETおよびIGBTの運転者ICは半橋ゲートの運転者IC 14-DIPを欠きます 記述 IR2110/IR2113は独立した高低の側面の参照された出力チャネルが付いている高圧、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者です。専有HVICおよび掛け金免疫CMOS.........

高速IX4424NTR IX4424Nのゲートの運転者の導入IX4424NTR IX4424Nの有効な、信頼できる二重MOSFET DRVR Bitmainの電源の取り替えを達成しなさい 高速IX4424NTR IX4424Nのゲートの運転者、完全なBitmain APW7のための取り替え、.........