IR2156STRPBF Mosfetのゲートの運転者ICの高周波電圧20V
型式番号:IR2156STRPBF
原産地:マルチオリジン
最低順序量:1
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:99999
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Shenzhen China
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
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製品詳細
会社概要
製品詳細
IR2156STRPBFの半導体の破片ICの高周波運転者およびMOSFETs
製品名:IR2156STRPBFの半導体ICの破片
製品の説明:
IR2156STRPBFは高性能、半橋構成の1 N-channel MOSFETかIGBTを運転するように設計されている自己振動のゲートの運転者ICである。それは不足電圧閉鎖特徴、論理のレベルの入力、プログラム可能な死時間および低側の前運転者を含んでいる。ICはピーク電流の6Aまで運転することができ、8Vからの20Vに広い作動の供給電圧の範囲がある。ICはまた過電流保護に使用することができる現在の検知回線を特色にする。
製品の機能:
- 高性能、自己振動のゲートの運転者IC
- ドライブ半橋構成の1 N-channel MOSFETかIGBT
- 不足電圧閉鎖特徴
- 論理のレベルの入力
- プログラム可能な死時間
- 低側の前運転者
- ピーク電流の6Aまで運転することができる
- 8Vからの20Vへの広い作動の供給電圧の範囲
- 過電流保護のための現在の検知回線
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