mosfet はスイッチとして

多目的高功率モスフェット 硬式スイッチング レゾナントスイッチング PWM ステージ 特徴 • 速やかに 切り替える • 低 ON 抵抗 • 低ゲート 料金 • 100% シングルパルス 雪崩エネルギーテスト 応用 スイッチモード電源 (SMPS) 切断のない電源 (UPS) パワーファ.........

NとPチャネル ±40V MOSFET DCモーター制御のための高速スイッチング速度 一般説明 JY2504NPMは,優れたRDS ((ON) と低ゲート充電を提供できるNとPチャネル論理強化モードの電源フィールドトランジスタである.補完的なMOSFETは,Hブリッジで使用することが.........

IRF840PBF MOSFET 高速スイッチング、低オン抵抗、最大出力 製品パラメータ: タイプ: NチャネルMOSFETドレイン・ソース電圧(Vdss):100Vゲートしきい値電圧 (Vgs(th)): 4V連続ドレイン電流 (Id): 10.8A最大ドレイン.........

OEMの高い現在のトランジスター/耐久PチャネルMosfetの高い側面スイッチ 高い現在のトランジスター特徴の記述 40V/19AR DS （） = 5.3mΩ （typ。）@V GS = 10VR DS （） = 6.0mΩ （typ。）@V GS = 4.5Vテストされる100.........

IRFP240、SiHFP240 力MOSFET 特徴 •動的dV/dtの評価 •評価される反復的ななだれ •隔離された中央取り付け穴 •速い切換え •平行になる容易さ •簡単なドライブ条件 •（Pb）なしの利用できる導いて下さい 記述 Vishayからの第三.........

製品説明: 高電圧MOSFET 高電圧MOSFETは,FRDHVMOSFETを組み込み,超高電圧評価と優れた熱消耗,低電圧抵抗とMOSFET技術を提供しています.このタイプのMOSFETはN型です.高電圧および/または超高電圧電源を必要とする様々な用途に適している. 高電圧MOSFETは高性能で........

...

NTD5802NT4GはMOSFET 40 V転換力mosfetに動力を与える 特徴 •伝導の損失を最小にする低いRDS （） •運転者の損失を最小にする低いキャパシタンス •転換の損失を最小にする最大限に活用されたゲート充満 •MSL 1/260°C •AEC Q101は修飾した.........

JY12M Nおよびインバーター塗布のための速い切り替え速度のP Chennel 30V MOSFET 概説 JY12MはタイプのNおよびPチャネルの論理の強化モード両方で設計されている力分野のトランジスターである。これらのトランジスターは優秀なパフォーマンス特性を可能にする高い細胞密度D.........

インフィニオン・テクノロジーズIPW65R041CFD TO-247 MOSFET 分離した半導体製品は電子回路に単一機能を、改正のような、拡大行う、または切換えを、含める電子部品。分離した半導体製品のある共通の例はダイオード、トランジスターおよびサイリスタが含まれている。分離した半導体製品の共通機......

一般説明: JY16Mは最新の トレンチ処理技術を活用して 高い細胞密度を達成し 繰り返しの高い雪崩評価でオン抵抗を減らす.この設計は,電源スイッチアプリケーションおよび他のアプリケーションの幅広い種類で使用するために非常に効率的で信頼性の高いデバイスを作る. 特徴: ● 600V/4A.........

製品パラメータ 製造者:スタンダードパッケージ:トューブ製品カテゴリー:MOSFETブランド:標準RoHS について詳細構成:シングルテクノロジーそうだ秋の時間77 nsマウントスタイル:穴を抜ける高さ:16.3mmパッケージ/ケース:TO-220-3長さ:10.67mmトランジスタの偏性:N.........

速い切換えのIRF540NS Nチャネル100V 33A 130W D2PAK MOSFET 特徴 高度の加工技術 超低いオン抵抗 動的dv/dtの評価 175°C実用温度 速い切換え 評価される十分になだれ 無鉛 記述 高度HEXFET®力のMOSFETsからの 国際的な整流器は高度の処理を利用し......

スイッチのためのTIP42C PNP 100V 6A TO-220力トランジスターMOSFETのトランジスターは巡回します TIP41C TIP42C 記述 この装置を線形音声、力および切換えの適用のために適したようにするTIP41CはTO-220プラスチック パッケー.........

...

Infineonのケイ素のNpn力トランジスターIRFS4227TRLPBF 200V 62A 26mOhm 70nC Qg NチャネルMosfet 適用 •懸命に転換PWMの段階および共鳴転換の段階 •アダプター、LCD&PDP TVの照明 記述 このHEXFET®力MOSFET.........

SI7804DN-T1-E3DKR-ND MOSFET 推奨されるアルト 製品属性 属性値 製造者: ヴィシェイ 製品カテゴリー: MOSFET RoHS について 詳細 テクノロジー そうだ マウントスタイル: SMD/SMT パッケージ/ケース: パワーパック1.........

製品範囲 IDiscreteの半導体のトランジスターMOSFET STMicroelectronics STP110N8F6の転換の塗布 MOSFETのN-channel 80 Vの0.0056のΩのタイプ。、110 A、STripFET™ F6 T0-220 Appの特徴 非.........