モススイッチ

SVF840F SILAN 8A 500V高圧MOSの管 記述: SVF840F/D/S/MJのN-channelの強化モード高圧力MOSの電界効果トランジスタそれはSilanのマイクロエレクトロニクスのF細胞TM平面の高圧VDMOSの加工技術を使用して製造される。高度技術およ.........

速い切換えの時間Mosの電界効果トランジスタ、電源スイッチのトランジスター Mosの電界効果トランジスタの記述 Mosの電界効果トランジスタはスイッチとして多くので電源および全権の適用、特に使用されます。変形sは平面のMOSFETs、VMOS、UMOS TrenchMOS、HEXF.........

ADG451BRZ-REEL7電子部品ICの破片LC2 MOS 5 Ω RON SPSTはパッケージ16-SOICを転換する プロダクト状態 活動的...

20A 650V 150mΩ 安定性と均一性 スイッチモード電源のための冷たいMOS NチャネルスーパージャンクションMOSFET 部品番号:LC65R190F パッケージ:TO-220F 主要な特徴 私はD:20A VDSS: はい650V RDSON型 VGS=10V:150.........

東芝TK39A60W力のスイッチング・トランジスタ38.8A 600V 50W 4100pFのケイ素のN-Channel MOS 適用 転換の電圧安定器 記述 東芝DTMOSIVのMOSFETs 30%の減少を提供する最新式の単一のエピタキシアル プロセスを使用するため、 RDS （）、M.........

オリジナルのトランジスター 2SK1305 ケイ素 N チャネル MOS FET IC の部品 オリジナルのトランジスター 2SK1305 ケイ素 N チャネル MOS FET TO-3P 特徴 • 低いオン抵抗 • 高速切換え •.........

DC 12V 24V二重MOS LEDデジタルのタイム・ディレイ リレー高レベル制動機周期のタイマーの遅れスイッチ回路のタイミング # DC 5V-30Vのコントローラーの特性 二重MOSの平行活動的な出力は、内部抵抗、より大きい現在の強力な強い力インターフェイス、明確.........

BTS7750G#自動車コンピュータ版修理一般的な破片のTrilithicスイッチSOP - 28 Infineon IC 1.1特徴 •クォードD-MOSスイッチ運転者 •橋かクォード スイッチとして自由な構成可能 •DCモーター管理塗布のために最大限に活用される •低いRD.........

セリウムは天井灯のためのスイッチ センサーのコンパクト デザイン120-277VACを離れて承認した 特徴: HD401SのCRはHFシステム5.8GHzが付いている革新的で、活動的な行動探知機である。 それはmoのtionおよび包囲された光源レベルに基づいてオン/オフ ライト.........

IPD70R1K4P7Sシリーズ700V CoolMOS P7力トランジスター分野効果MOSの管 特徴•非常に低いFOM RDSの（） *QgおよびRDSの（） *Eossによる極端に低い損失•優秀な熱行動•統合されたESDの保護ダイオード•低い切換えの損失（Eoss）•プロダク.........

無線通信モジュール BGS12P2L6E6327XTSA1 一般用途 RF MOS パワー SPDT スイッチIC [MJD優位性] 電子コンポーネントで15年以上の経験 + 安全な注文 + 優れたフィードバック 保証された配達日 +100%低価格保証 +108カ国に輸出 顧客満足度99.9.........

G3VM-202J1 リレー コンポーネント ソリッド ステート リレー SSR I/O 間の耐電圧 2.5 kVAC を備えた、高スイッチング電流用のアナログ スイッチング MOS FET リレー。 G3VM-202J1の仕様 部品のステータス アクティブ.........

87918-0301 MOLEX 0.60mm （.024の）ピッチのminiDIMM DDR3のソケット、1.5Vキー直角、表面の台紙244の回路 製造業者 Molex Connector Corporation シリーズ 87918 包装 皿 部分の状態 活動的 コネクター様式 MiniDIMM ......

1つのキー-ホテルの部屋のための接触浴室ライトPCBAサーキット ボードを薄暗くする5キー 指定 キー 1つのキー5のキー 処置 柔らかなライト 力 DC24V/0.9A ドライブの種類.........

LM5032MTCX/NOPB力の調整装置ICスイッチ・コントローラ高圧二重入れ込まれた現在のMo 1特徴 2つの独立したPWMの現在のモード制御部 統合された高圧起動の調整装置 混合物2.5-Aの主要な出力ゲートの運転者 2つのMHz.........

電子集積回路の破片IPT026N10N5ATMA1 NPNのトランジスターMOSのダイオードの原物 製品の説明 高い転換の頻度のための理想 44%までの出力キャパシタンスの減少 前の生成からの43%までのRDSの（）減少 製品仕様書.........

製品説明: 高圧MOSFETを紹介します MOS-Gateトランジスタは 超高圧アプリケーションのために特別に設計されています産業用切換電源この装置は,低電圧の電源システムおよび電源システムアプリケーションに適しています.低流出量は1μA未満に達し,低電源抵抗を持つN型です.このデバイスは,あら........

FDS6699SのトランジスターMOSの管NチャネルSOIC-8 製品の説明: 1.プロダクト モデル:FDS6699S 2.記述: MOSFET 3. FDS6699SのトランジスターMOSFET Nチャネル21 A 30 V 3.6 MoHM 10ボルト1.4 V 4.極端.........