IPD70R1K4P7Sシリーズ700V CoolMOS P7力トランジスター分野効果MOSの管
型式番号:PG-TO 252-3
原産地:中国
最低順序量:100 / 交渉可能
支払の言葉:L/C、D/P、T/T、
供給の能力:10000/Piece/Weekly
受渡し時間:7 〜 10 営業日
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確認済みサプライヤー
Dongguan Guangdong China
住所：
客室408号:262 中央西湖道,シロン町,東?? 市,広東省,中国
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 25 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
IPD70R1K4P7Sシリーズ700V CoolMOS P7力トランジスター分野効果MOSの管
特徴
•非常に低いFOM RDSの（） *QgおよびRDSの（） *Eossによる極端に低い損失
•優秀な熱行動
•統合されたESDの保護ダイオード
•低い切換えの損失（Eoss）
•プロダクト確認acc。JEDECの標準
利点
•費用の競争の技術
•低温
•高いESDの険しさ
•より高い転換の頻度で効率の利益を可能にします
•高い発電密度の設計および小さい形式要素を可能にします
潜在的な適用
充電器で使用されるフライバックの地勢学のために例えば推薦される
適用、等をつけるアダプター。
主要なパーフォーマンスおよびパッケージ変数
| 変数 | 価値 | 単位 |
| VDS @ Tj=25°C | 700 | V |
| 最高RDS （） | 1.4 | Ω |
| Qgのtyp | 4.7 | NC |
| IDの脈拍 | 8.2 | A |
| Eoss @ 400V | 0.6 | μJ |
| V （GS） Th、typ | 3 | A |
| ESDのクラス（HBM） | 1C | / |
| タイプして下さい/オーダー コード | パッケージ | 印が付いていること | 関連リンク |
| IPD70R1K4P7S | PG-TO 252-3 | 70S1K4P7 | 付録Aを見て下さい |
FAQ
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IPD70R1K4P7Sシリーズ700V CoolMOS P7力トランジスター分野効果MOSの管
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