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半導体ダイオード

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China FDS6699SのトランジスターMOSの管MOSFET NチャネルのトランジスターSOIC-8 wholesale

FDS6699SのトランジスターMOSの管MOSFET NチャネルのトランジスターSOIC-8

最新の価格を尋ねる

型式番号 :FDS6699S

原産地 :アメリカ

包装の細部 :元のパッケージ

最低順序量 :discussible

支払の言葉 :L/C、D/A、D/P、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram、

供給の能力 :10000pcs 1か月

受渡し時間 :3~7days

タイプ :Mosfet

D/C :2021年

パッケージのタイプ :SOIC-8

適用 :標準

製造者のタイプ :元の製造業者、ODMの代理店、小売商、他

利用できる媒体 :データ用紙、写真、EDA/CADは、他模倣する

ブランド :Mosfet

電圧-コレクターのエミッターの故障（最高） :30.0 V

実用温度 :-55 ℃~150 ℃

タイプの取付け :表面の台紙

流出させなさいに源の電圧（Vdss） :30.0 V

ピンの数 :8

最高使用可能温度 :150 °C

要素構成 :シングル

最低の実用温度 :-55 °C

上昇時間 :12 ns

最高のRds :3.6 mΩ

チャネルの数 :1

RoHS :迎合的

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製品の説明を表示

FDS6699SのトランジスターMOSの管NチャネルSOIC-8

製品の説明:

1.プロダクトモデル:FDS6699S

2.記述: MOSFET

3. FDS6699SのトランジスターMOSFET Nチャネル21 A 30 V 3.6 MoHM 10ボルト1.4 V

4.極端に低いRDS （）および速い切換えのための高性能の堀の技術

5.高い発電および現在の処理の機能

6.テストされる100% RG （ゲートの抵抗）

科学技術変数:

電圧評価（DC）	30.0 V
現在の評価	21.0 A
チャネルの数	1
位置の数	8
源の抵抗に流出させなさい（）（Rds）	3.6 mΩ
極性	N-Channel
電力損失	2.5 MW
境界の電圧	1.4 V
入れられたキャパシタンス	3.61 nF
ゲート充満	65.0 NC
流出させなさいに源の電圧（Vds）	30ボルト
絶縁破壊電圧（源への下水管）	30ボルト
絶縁破壊電圧（源へのゲート）	±20.0 V
連続的な下水管の流れ（ID）	21.0 A
上昇時間	12 ns

適用:

家庭用電化製品

FDS6699SはPowerTrench®プロセスを使用してSyncFET™のN-channel MOSFET作り出したである。同期DCにDC電源のショットキー単一SO-8 MOSFETそしてダイオードを取り替えることを設計する。この30V MOSFETは力の変換効率を最大にするように設計され低いRDS （）および低いゲート充満を提供する。それはフェアチャイルドを使用してショットキー統合されたダイオードを" s単一SyncFET™の技術含んでいる。

会社利点:

シンセンRuizhixindaの電子工学Co.、株式会社。

電子部品の卸し売り代理店の経験の十年の会社はある、

私達にさまざまな部品のブランドのおよび工場協同省庁の力がある。

広範で、完全な電子部品の保管倉庫、

まれで、まれで、独特な、今普及した部品を含んで。

100%の元及び新製品のための目録。

誰でも必要としたら、私達に連絡しなさい。

私達は完全な、良質プロダクトを提供する。

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