BTS7750G#自動車コンピュータ版修理一般的な破片のTrilithicスイッチSOP - 28 Infineon IC
1.1特徴
•クォードD-MOSスイッチ運転者
•橋かクォード スイッチとして自由な構成可能
•DCモーター管理塗布のために最大限に活用される
•低いRDS:70のmτの高側のスイッチ、45のmτの低い側面スイッチ（典型的な価値@ 25C）
•最高のピーク電流:タイプ。12 Aの@ 25C
•非常に低い静止流れ:タイプ。5 ←Aの@ 25C
•小さい輪郭、高められた力のP DSOパッケージ
•完全な短い回路保護
•40ボルトまで作動させる
•状態の旗の診断
•ヒステリシスと締まる温度過昇
•内部クランプ ダイオード
•外的な現在の感知のための隔離された源
•ヒステリシスを用いる不足電圧の検出
•PWMの頻度1つまでのkHz
1.2記述
BTS 7750 Gは1個のパッケージで3つのダイスを含んでいるTrilithIC家族の部分である:
1つの二重高側のスイッチおよび2つの低側のスイッチ。この3の下水管
縦DMOSの破片は分けられたleadframesに取付けられる。源は接続される
個々のピン、従ってBTS 7750 GにH橋で、また他のどのでも使用することができる
構成。の二重高側そして2つの低側のスイッチ両方
BTS 7750 Gは低く結合するスマートなSIPMOS®の技術で製造される
CMOS制御回路部品が付いている縦DMOS力の段階のRDS。高側のスイッチはある
十分に制御および診断の回路部品を保護し、含んでいる。また低側
スイッチは十分に、同等の標準的なプロダクトであるBSP 78保護される。
P-TO263-15の同じ破片から成っているBTS 7750 GPと対照をなして、
パッケージは、P-DSO-28-14パッケージより小さい輪郭そして低価格をのための提供する
P-TO263-15の熱特性を必要としない適用。
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