金属オキシド半導体

RoHSの証明書が付いている金属酸化膜半導体の電界効果トランジスタ 金属酸化膜半導体の電界効果トランジスタの特徴 低いゲート充満 低いRdson （典型的な5.5mΩ） 速い切換え テストされる100%のなだれ 改善されたdv/dtの機能 RoHSプロダクト テストされ.........

MR511 検出を達成するために,熱と電気伝導の原則によって引き起こされる金属酸化半導体の表面のガス吸着を通してガスセンサー 製品説明:MR511 ガスセンサーは,熱伝導と電気伝導の原理の変化によって引き起こされる金属酸化半導体の表面のガスの吸着によって検出を達成する.敏感な要素抵抗値の変化から........

金属酸化膜半導体Mosfet力トランジスター高く険しいなだれ Mosfet力トランジスター記述 -30V/-60AR DS （） = 4.8mΩ （typ。）@V GS =-10VR DS （） = 6.8mΩ （typ。）@V GS =-4.5V信頼でき、険しい利用できるハロゲン.........

製品名:PD57018-E 製造業者:STMicroelectronics 製品カテゴリ:RFの金属酸化膜半導体分野効果（RF MOSFET）のトランジスター トランジスター極性:N-Channel 技術:Si.........

製品説明 製品種類:フィールド効果トランジスタ MOSFET nチャネルモデル番号:IRFR4615TRLPBFシリーズ:HEXFET販売者:インフィニオンパッケージ:TO-252-3スタイルをインストールする:表面マウントタイプ新品とオリジナル IRFR4615TRLPBFTO-252-3 フ........

超電圧止め機 MOV メタルオキシドバリストール 半導体D30×30 メタルオキシドバリストール MOVブロックは,主要材料として亜鉛酸化物から作られたセラミック半導体要素で,その抵抗値は,適用された電圧の変化に変化し,金属酸化物アレスターのコアコンポーネントです.その品質が直接 停止器の性能.........

半導体の部品、IEC60099-4 のためのサージの防止装置の動きの金属酸化物バリスター 速い細部: 1.Good 非はさみ金の専門 2.No 余分な流れ 3.Large 亜鉛めっき 4.Smart 応答 電圧、よい保護性能を締め金で止める.........

大吸収型 非線形 大サイズ 275V RMS 32mm MYL メタルオキシドバリストール MOV 32D431K 電圧依存レジスタル VDR 簡潔 な 紹介 ヴァリストールは,金属オキシド半導体部品の主な材料として,主に亜鉛酸化物から構成された非線形抵抗体です.そして,電圧アンペア特性.........

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放射状の加鉛動きディスク5mm亜鉛金属酸化物バリスターVDR 05D471K 300VAC 385VDC ディスク5mm亜鉛金属酸化物バリスターVDR 05D471Kの定義 バリスターは過電圧のトランジェントから電気および電子デバイスを保護する2末端の半導体デバイスである。その.........

金属酸化物バリスター14D431K 275VAC 14mmの直径の敏感な抵抗器 バリスターは主要な原料として酸化亜鉛を使用する一種の半導体の陶磁器の部品である。抵抗の価値に応用電圧の非線形変更がある。それに小さい容積、大きい抵抗のサージ電流のよい特徴がある。 Charateristi.........

青色 14mm 560v CVR-14D 561K ラジアルリード 3 movs 金属酸化物バリスタ（発電機用） クイック詳細: 1. UL認証 2. ラジアルリードタイプ 3. VM(AC)RMS 電圧範囲は 130V から 1000V 4. 最大 360.........

OEM 20D 511kの金属酸化物バリスター大きい吸収の一時的なエネルギー機能 金属酸化物バリスター 不足分のための金属酸化物バリスター、か動きは、抵抗材料が金属酸化物の電圧依存した抵抗器、陶磁器材料として主に酸化亜鉛（ZnO）である。金属酸化物バリスターは酸化亜鉛の穀物間の接続点の形成のための陶......

高性能金属酸化物亜鉛バリスター ディスク製造業者 簡潔な説明: サージの防止装置のための金属酸化物バリスター 酸化亜鉛のバリスターは主要なコンポーネントが酸化亜鉛ビスマスの酸化物、フッ化物の酸化物、二価マンガンの炭酸塩、アンチモンの酸化物および他の光の.........

酸化膜7D681Kバリスター小型P5mmに金属をかぶせなさい バリスター7D681Kシリーズは酸化亜鉛から焼結するサージ装置を限る半導体の電圧である。それらは優秀な非線形特徴および高いサージの吸収容量のための電子回路で広く利用されている。プロダクトはAC/DCの電力回路およびいろいろな種類の低頻度信......

WSF28N06電界効果トランジスタICはNチャネルMOSFETの金属酸化物を欠く 記述 WSF28N06は60ボルトの最高の電圧評価および28アンペアの現在の評価のN-Channel MOSFET （金属酸化物半導体のField-Effectのトランジスター）のための部品番号である.........

熱い販売9kvポリマー金属酸化物のサージの避雷器11kv 5kaの避雷器熱い販売9kvポリマー金属酸化物のサージの避雷器 製品の説明 タイプ 評価される 電圧 （kV） MCOV （.........

高圧電力サージの保護装置5D 5MM 5D681K 5D431K 5D201K 5D471K ZOVの動きの金属酸化物バリスター 5D ZOVの動きの金属酸化物バリスター 次元......