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low rdson power mosfet

1 - 20 の結果 low rdson power mosfet から 2922 製品

信頼性のある耐久性のある低電圧電源モスフェット 製品説明:低電圧MOSFET製品は 臨時的な過電圧に耐えるように設計されており 信頼性と耐久性が高く 電力管理のニーズに対応します安全で環境にやさしい使用を保証する.この製品の主要な利点の1つは,システムの効率の向上です. 低電力損失と低Rds ((O......

Time : Mar,31,2025
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トレンチ/SGT構造プロセスとより小さなRSPを持つ低電圧電源MOSFET 製品説明: 低電圧MOSFETは,低電圧アプリケーションで低抵抗と高効率を提供するように設計された電力MOSFETです.トレンチとSGTプロセスの組み合わせで,突破的なFOM最適化を提供し,より多くのアプリケーションをカ........

Time : Dec,26,2024
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HEXFETパワーMOSFETトランジスタ、パワーMOSFETモジュールIRF7329 トレンチ技術 超低オン抵抗 デュアルPチャネルMOSFET ロープロファイル(<1.8ミリメートル) テープ&リールで利用可能 無鉛の 説明 インターナショナル.........

Time : May,30,2024
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一般説明: JY4P7Mは,高セル密度を達成するために最新の溝処理技術を活用し,低ゲートチャージでオン抵抗を軽減します.この設計は,高電流で使用するための非常に効率的で信頼性の高い装置です 負荷アプリケーション 特徴: ● ‐40V/‐70A,RDS (オン) ≤10mΩ@VG.........

Time : Sep,20,2024
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IXFK27N80Q NチャネルMosfet 800V 27A 0.32 Rds力のMOSFETs HiPerFET 記述 HiPerFETTM力のMOSFETs Q-CLASS 単一MOSFETは死ぬ N-Channelの強化モードなだれは、低いQg、高いdV/dtの低いtrr評価した.........

Time : Nov,28,2024
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穴TO-220を通したIRFZ44N Nチャネル力MOSFET 55V 49A 94W 記述 インターナショナルからの高度HEXFET®力のMOSFETs 整流器は達成するのに高度の加工の技巧を利用します ケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗。この利点、 速い切り替え速度と結合され、高耐久化.........

Time : Nov,30,2024
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JUYI Nチャネル増強モード パワー MOSFET 70V/90A,低抵抗,高速スイッチ,幅広いアプリケーション 一般的な説明 JY09Mは高細胞密度を達成するために最新の溝処理技術を活用し 低ゲート充電でオン抵抗を削減しますこの設計は,電源スイッチアプリケーションおよび他のアプリケーショ.........

Time : Jul,03,2025
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トランジスターBSC004NE2LS5ATMA1 N-Channel力のMOSFETsのトランジスター8-PowerTDFN BSC004NE2LS5ATMA1の製品の説明 BSC004NE2LS5ATMA1は0.45mOhmのBiC RDSを()提供するSuperSO8パッケージのOpt.........

Time : Jun,11,2025
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製品範囲 STB24N60DM2半導体は分離したMosfetのトランジスター電界効果トランジスタに動力を与える N-Channel N-channel 600 V、0.13 Ωのタイプ。、Dの²朴の21のMDmesh™ DM2力のMOSFETs、TO-220およびTO-247パッケージ.........

Time : Nov,26,2024
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JY21L 高低の側面の運転者 概説プロダクトはP-SUB P-EPIプロセスに基づく高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者である。浮遊チャネルの運転者が150Vまで作動するIGBTか2つのN-channel力MOSFETを独自に運転するのに使用することができる。論理の入力は3.3V.........

Time : Mar,18,2025
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BSC010NE2LSI OptiMOS 25Vオンボード充電器用NチャネルパワーMOSFETメインボードノートブックDC-DCVRD / VRMLEDモーター制御 アプリケーション: 車載充電器 メインボード ノート DC-DC VRD / VRM 導いた モーター制御 インフィニオンは......

Time : May,02,2024
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Infineon MOSFET N CH 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3,600V CoolMOS™ C3はInfineonの第3一連の600V CoolMOS™ C3のためのCoolMOS™の取り替えであるCoolMOS™ P7 600V CoolMOS™ C3であ......

Time : Apr,26,2023
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電子工学の適用のための高性能IRF540 MOSFETIRF540 MOSFETとの優秀な性能を得なさい IRF540 MOSFETはいろいろ電子適用のために適した強力で、多目的なトランジスターである。100ボルトの33アンペアそして最高の電圧の最高の現在の評価によって、このMOSFETはほ.........

Time : Nov,30,2024
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1KV低電圧電源ケーブル NYRY CU/XLPE/SWA/PVC 3x 25/16MM2 IEC60502-1 1KV低電圧電源ケーブル NYRY CU/XLPE/SWA/PVC 3x25+16MM2 IEC60502-1適用する これらのケーブルは,低ダイレクトリック損失と機械的抵抗を組み合........

Time : Apr,21,2025
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モータードライバー VNH7100BASTR 4V-28V 16SO PWMとパワーMOSFET 製品説明 わたしたち の 利点 主な製品 5GIoTについて モジュー......

Time : Dec,06,2024
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NTTFS3A08PZTAGのトランジスターFETsのMOSFETs単一P-CH 20V 9A 8WDFNのP-Channel 製品の説明: 1. -20V、- 15A、6.7 Mω、P-channel力MOSFET 2. P-channel 20V 9A (Ta)の840mW (Ta).........

Time : Nov,24,2024
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YJV22低電圧の送電線は鋼鉄テープ装甲STA Iec 60502ケーブルに電流を通した 0.6/1 kV 3*6 mm2 XLPEは電流を通された鋼鉄テープ装甲STA 3中心の銅のコンダクターIEC60502の送電線を絶縁した 1. YJV22ケーブルの紹介 装甲は鋼鉄テープ装甲.........

Time : Apr,21,2025
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EI42 電源変換低周波電源トランスフォーマー 溶接型ラミネーションコア 1製品説明 低周波電源トランスフォーマーEI42は 溶接した層化鉄芯構造を採用しています高透通性シリコン鋼材から精密圧縮され,50/60Hz低周波環境のために特別に設計されているこのトランスフォーマーには,電源の電源が50〜5......

Time : Jun,22,2025
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カラオケ電源増幅器 2チャンネル 350W 低静電消費と動力エネルギー 記述 1低静電消費: 増幅器は低静電消費のために設計されています. これは,増幅器がイオンまたは積極的に信号を増幅していないときでも,エネルギー消費は最小限ですエネルギーコストを削減し 環境への影響を最小限に抑えること.........

Time : Dec,07,2024
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