イドモス・RF電源トランジスタ

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AD9364BBCZ RF力トランジスター高い実行信頼できる力の解決 製品名:AD9364BBCZ RF力トランジスター 記述:AD9364BBCZ RF力トランジスターは商業の、産業および自動車適用の使用のために設計されている強力なクラスABのトランジスターである。この装置は高利得.........

PD85035S-E PD85035STR-E PD85035-E RF力トランジスターMOSFETS PD85035-Eは共通のソースのN-channel、強化モード側面field-effect RF力であるトランジスター。それは高利得の、広帯域商業および産業適用のために設計されている。それは1つ......

RD06HVF1 RF POWER MOSFET Silicon Transistor 175MHz 6W 増幅器アプリケーション向け RD06HVF1の説明 RD06HVF1 は、VHF RF パワーアンプ アプリケーション向けに特別に設計された MOS FET タイプのトランジスタです。 ......

INNOTION YP01401650T 50W ガリウムナイトリド 28V DC-4GHz 高電子移動性GAN RF電源トランジスタ 製品説明 イノーションのYP01401650Tは 高効率に設計された 50ワット高電子移動性トランジスタ (HEMT)高い加益率と,最大4000MHzの周波.........

D2085UK 28V120W 1MHz-1000MHz プッシュ・プル RF パワートランジスタ MOSFET 製造者: TT電子 製品カテゴリー: TT電子 ブランド: セメララボ / TT電子 D2085UKは28Vの電圧で動作し,120Wの出力に対応で.........

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BFS505 NPN PNPのトランジスターRFトランジスターNPN 15V 18mA 9GHz 150mW表面の台紙 NPN 9つのGHzの広帯域のトランジスター 特徴 •低い消費電流 •高い発電の利益 •低雑音図 •高い転移の頻度 •金のメタライゼーションは保障します 優秀な信頼性 ......

QPD1035 無線通信モジュール 40W 50V 6 GHz GaN RF パワートランジスタ [MJD優位性] 電子コンポーネントで15年以上の経験 + 安全な注文 + 優れたフィードバック 保証された配達日 +100%低価格保証 +108カ国に輸出 顧客満足度99.9%!! [会社.........

BLF881 N/A電子部品集積回路 MCUのマイクロ制御回路集積回路BLF881 指定 項目 価値 D/C 新しい 条件...

BFS505 NPN PNP トランジスタ RF トランジスタ NPN 15V 18mA 9GHz 150mW 表面マウント NPN 9 GHz ブロードバンドトランジスタ 特徴 • 低電流消費 • 高い 電力 増加 • 低騒音率 • 高速 移行 頻度 • 金の金属化により 優れた信頼性 •.........

AOD442/AOI44260V NチャネルMOSFET 概説 AOD442/AOI442によって使用される高度の堀の技術への優秀なR DS （）および低いゲート充満を提供して下さい。それら装置は負荷スイッチとしてまたはPWMで使用のために適しています適用。 変数 .........

シェンzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd.私たちの会社へようこそ! 私たちは電子部品のすべてで1つのソースです. 私たちの専門知識は,あなたの多様な要求に応える幅広い電子部品を提供することです.献げている:- 半導体:マイクロコントローラー,トランジスタ,ダ.......

2-18GHz Ku バンド通信モジュール PSat 50W Ldmos テクノロジーの線形 RF パワー増幅器 Dエスクリプション 2-18GHz Kuバンド RF パワーアンプは,特にKuバンドを標的にして2GHzから18GHzの周波数範囲内の信号を増幅するように設計されています. 周波.........

FMの移動式ラジオのための150-175MHZ RF力MOSFETのトランジスターM68702H 条件: 100%の真新しいプロダクト 部分の状態: 活動的 パッケージ: H2 無鉛状態/RoHSの状態: 迎合的.........

製品概要 900mhz 860-930MHZ 50Wモジュール ドローン対策モジュール パワーと周波数サポート 90MHZ- 5.8g,10W,20W,30W,40W,50w,100Wのカスタマイズ形式 --電源増幅器モジュールの無線周波数およびモニタリング技術指標は,.........

VHFのRFの電力増幅器のためのNPNのケイ素rf力mosfetのトランジスターは移動式ラジオ、2SC1972にバンドを付けます 記述: ASI 2SC1972はVHFバンド移動式無線の塗布のRFの電力増幅器のために設計されています。 特徴は下記のものを含んでいます: •ほとんど.........

MRF9045LR1TRANSISTORS RFの在庫の両極トランジスターSi原物 ASI MRF9045LR1は金金属で処理される高圧である 横に拡散させた金属酸化膜半導体。今日のための理想 RFの電力増幅器の塗布。 製品カテゴリ: RF M.........