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イドモスの電源トランジスタ

1 - 20 の結果 イドモスの電源トランジスタ から 243 製品

BLF178XR RF Mosfet LDMOS (二重)、共通のソース50V 40mA 108MHz 28dB 1400W SOT539A 1. 1つの概説 放送のための1400のW非常に険しいLDMOS力トランジスターおよび産業 128のMHzバンドへのHFの適用。 1. 2つの特徴および利点 ......

Time : Nov,03,2023
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PD85035S-E PD85035STR-E PD85035-E RF力トランジスターMOSFETS PD85035-Eは共通のソースのN-channel、強化モード側面field-effect RF力であるトランジスター。それは高利得の、広帯域商業および産業適用のために設計されている。それは1つ......

Time : Feb,03,2025
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AD9364BBCZ RF力トランジスター高い実行信頼できる力の解決 製品名:AD9364BBCZ RF力トランジスター 記述:AD9364BBCZ RF力トランジスターは商業の、産業および自動車適用の使用のために設計されている強力なクラスABのトランジスターである。この装置は高利得.........

Time : Nov,30,2024
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スイッチのためのTIP42C PNP 100V 6A TO-220力トランジスターMOSFETのトランジスターは巡回します TIP41C TIP42C 記述 この装置を線形音声、力および切換えの適用のために適したようにするTIP41CはTO-220プラスチック パッケー.........

Time : Jun,12,2024
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30P06D TO-252の高い発電のトランジスター、注文の電界効果トランジスタ 高い発電のトランジスター記述 30P06D使用高度の堀優秀なR DSを提供する技術()そして低いゲート充満。この装置はありますとしてまたは使用負荷スイッチのために適したPWMの適用。 高い発電のトラン.........

Time : May,30,2024
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IGBT力トランジスターSGL160N60UFD 600V 160A 250W UFDシリーズ ゲートの両極トランジスター 記述 フェアチャイルドのUFDの一連のInsulatedゲートの両極トランジスター(IGBTs)は低い伝導を提供する 転換の損失。UFDシリーズは運動制御および大将のよう.........

Time : Nov,28,2024
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Time : Sep,30,2019
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高圧単一MOSFET力トランジスターSIHB22N60E - E3 600V 21AのパッケージD2PAK FETのタイプ: N-channel 実用温度: -55°C | 150°C (TJ) パッケージ: TO263-3 D2P.........

Time : Nov,27,2024
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FQPF18N60C -あなたの電子プロジェクトのための最終的な力トランジスター--を導入するFQPF18N60Cの力-高圧および高い現在の適用のための理想を自由にしなさい 高圧および高い現在の適用を扱うことができる力トランジスターを捜すか。FQPF18N60Cよりそれ以上に見てはいけない。.........

Time : Nov,30,2024
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MJD112T4Gの高い発電mosfetのトランジスター、補足のダーリントン力トランジスター MJD112 (NPN) MJD117 (PNP) 補足のダーリントン力トランジスター 表面の台紙の塗布のためのDPAK ケイ素力トランジスター 2アンペア 100ボル.........

Time : May,30,2024
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MJ13333 スイッチモードシリーズ 20AMPERE NPN シリコン電源トランジスタ 400- 500VOLTS 175WATTS カテゴリー トランジスタ Mfr モトロラー シリーズ - 部品のステータス - マウント.........

Time : May,01,2025
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2SC2987 NPN PNPのトランジスター ケイ素NPN力トランジスター 記述·TO-3PNのパッケージを使って·2SA1227をタイプする補足物·高い発電の消滅 適用·低周波の電力増幅器の塗布のため ピンで止めること PINの記述 1つの基盤 2Collector;基盤の取付けに接続される 3......

Time : Nov,20,2020
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東芝力トランジスター(MA-4400)が付いている3U 4 X 400W ABのクラスの電力増幅器 速い細部: Atopt大きい東芝のトランジスター、非常に完全な音 有効な冷却装置は、電力増幅器の安定性を保障します 古典的なプロダクト、良質 MAシリーズ電力増幅器 驚くべき性.........

Time : May,30,2024
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INNOTION YP01401650T 50W ガリウムナイトリド 28V DC-4GHz 高電子移動性GAN RF電源トランジスタ 製品説明 イノーションのYP01401650Tは 高効率に設計された 50ワット高電子移動性トランジスタ (HEMT)高い加益率と,最大4000MHzの周波.........

Time : Apr,23,2025
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IPG20N06S4L14AATMA1力トランジスターNチャネルMOSFET 40V 60V OptiMOS T2のパワー トランジスター 特徴 •二重N-channelの論理のレベル-強化モード •AEC Q101は修飾した •260°Cピークの退潮までのMSL1 •175.........

Time : Dec,09,2024
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ULN2003APWR高圧HIGH-CURRENTダーリントンのトランジスター配列テスト力トランジスター か。►500 mA評価されるコレクター流れ(単一の出力)か。 ►高圧出力… 50ボルトか。 ►出力クランプ ダイオードか。 ►さまざまなタイプの論理と互換性がある入力か。 ►.........

Time : Dec,01,2024
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